ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

40J8K0E

40J8K0E

ნაწილი საფონდო: 47333

წინააღმდეგობა: 8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
40J9K0E

40J9K0E

ნაწილი საფონდო: 47399

წინააღმდეგობა: 9 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43FR50

43FR50

ნაწილი საფონდო: 47951

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
43FR75

43FR75

ნაწილი საფონდო: 47900

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
40F3K0

40F3K0

ნაწილი საფონდო: 47914

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43FR30

43FR30

ნაწილი საფონდო: 47949

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
43FR20

43FR20

ნაწილი საფონდო: 47940

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
40F2K0

40F2K0

ნაწილი საფონდო: 47868

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
45J7K5

45J7K5

ნაწილი საფონდო: 47904

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F4K5E

43F4K5E

ნაწილი საფონდო: 48466

წინააღმდეგობა: 4.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J62RE

41J62RE

ნაწილი საფონდო: 48504

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F4K7E

43F4K7E

ნაწილი საფონდო: 48481

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
40F600

40F600

ნაწილი საფონდო: 48481

წინააღმდეგობა: 600 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
42J2R2E

42J2R2E

ნაწილი საფონდო: 48442

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
41J40RE

41J40RE

ნაწილი საფონდო: 48523

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J47RE

41J47RE

ნაწილი საფონდო: 48468

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J75RE

41J75RE

ნაწილი საფონდო: 48463

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J39RE

41J39RE

ნაწილი საფონდო: 48462

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F4K0E

43F4K0E

ნაწილი საფონდო: 48488

წინააღმდეგობა: 4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F3K5E

43F3K5E

ნაწილი საფონდო: 48445

წინააღმდეგობა: 3.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J33RE

41J33RE

ნაწილი საფონდო: 48502

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J56RE

41J56RE

ნაწილი საფონდო: 48436

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J30RE

41J30RE

ნაწილი საფონდო: 48465

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J82RE

41J82RE

ნაწილი საფონდო: 48487

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J50RE

41J50RE

ნაწილი საფონდო: 48478

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J35RE

41J35RE

ნაწილი საფონდო: 48490

წინააღმდეგობა: 35 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F3K3E

43F3K3E

ნაწილი საფონდო: 48509

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F3K0E

43F3K0E

ნაწილი საფონდო: 48438

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J27RE

41J27RE

ნაწილი საფონდო: 48496

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J68RE

41J68RE

ნაწილი საფონდო: 48502

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F3K9E

43F3K9E

ნაწილი საფონდო: 48510

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
45JR40

45JR40

ნაწილი საფონდო: 49085

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
45JR75

45JR75

ნაწილი საფონდო: 49114

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
40J7R5E

40J7R5E

ნაწილი საფონდო: 49110

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
45JR50

45JR50

ნაწილი საფონდო: 49113

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
45JR20

45JR20

ნაწილი საფონდო: 49090

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი