ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

45F22KE

45F22KE

ნაწილი საფონდო: 38863

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
45F1K0E

45F1K0E

ნაწილი საფონდო: 40044

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
45F1K5E

45F1K5E

ნაწილი საფონდო: 40050

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
45F1K2E

45F1K2E

ნაწილი საფონდო: 40102

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F7K5

43F7K5

ნაწილი საფონდო: 40191

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43F10K

43F10K

ნაწილი საფონდო: 40240

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41F600

41F600

ნაწილი საფონდო: 40223

წინააღმდეგობა: 600 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41F2R2E

41F2R2E

ნაწილი საფონდო: 41095

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
41F7R5E

41F7R5E

ნაწილი საფონდო: 41093

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
41FR50

41FR50

ნაწილი საფონდო: 41312

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41FR30

41FR30

ნაწილი საფონდო: 41279

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
43F5K6

43F5K6

ნაწილი საფონდო: 41260

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41FR25

41FR25

ნაწილი საფონდო: 41270

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41FR10

41FR10

ნაწილი საფონდო: 41272

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR25E

41JR25E

ნაწილი საფონდო: 41972

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR10E

41JR10E

ნაწილი საფონდო: 41996

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR15E

41JR15E

ნაწილი საფონდო: 41982

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR33E

41JR33E

ნაწილი საფონდო: 42027

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR20E

41JR20E

ნაწილი საფონდო: 24374

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR75E

41JR75E

ნაწილი საფონდო: 42014

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR30E

41JR30E

ნაწილი საფონდო: 41994

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41JR40E

41JR40E

ნაწილი საფონდო: 42039

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
45F17KE

45F17KE

ნაწილი საფონდო: 42427

წინააღმდეგობა: 17 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41F1R0

41F1R0

ნაწილი საფონდო: 42413

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
41F180E

41F180E

ნაწილი საფონდო: 42476

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41F5R0

41F5R0

ნაწილი საფონდო: 42471

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
40F17KE

40F17KE

ნაწილი საფონდო: 42423

წინააღმდეგობა: 17 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
42JR15

42JR15

ნაწილი საფონდო: 42422

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
41F470E

41F470E

ნაწილი საფონდო: 42397

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41J1K5E

41J1K5E

ნაწილი საფონდო: 42423

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
40F22KE

40F22KE

ნაწილი საფონდო: 42470

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41F330E

41F330E

ნაწილი საფონდო: 42442

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
40F25KE

40F25KE

ნაწილი საფონდო: 42465

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
45F12K5E

45F12K5E

ნაწილი საფონდო: 130

წინააღმდეგობა: 12.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
40F30KE

40F30KE

ნაწილი საფონდო: 42377

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
41F150E

41F150E

ნაწილი საფონდო: 42396

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი