შასის მთის წინააღმდეგობები

HS150 6R8 J

HS150 6R8 J

ნაწილი საფონდო: 7257

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L25J100E

L25J100E

ნაწილი საფონდო: 9468

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F20J10RE

F20J10RE

ნაწილი საფონდო: 9338

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS75 75R F

HS75 75R F

ნაწილი საფონდო: 9163

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L25J5R0E

L25J5R0E

ნაწილი საფონდო: 9091

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS100 18R J

HS100 18R J

ნაწილი საფონდო: 8023

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS150 8R F

HS150 8R F

ნაწილი საფონდო: 7100

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS100 220R J

HS100 220R J

ნაწილი საფონდო: 8066

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L12J6R8

L12J6R8

ნაწილი საფონდო: 11384

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS100 1K5 F

HS100 1K5 F

ნაწილი საფონდო: 7722

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
L50J8K0E

L50J8K0E

ნაწილი საფონდო: 7627

წინააღმდეგობა: 8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L12J47RE

L12J47RE

ნაწილი საფონდო: 13379

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS75 4R F

HS75 4R F

ნაწილი საფონდო: 9214

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS150 330R J

HS150 330R J

ნაწილი საფონდო: 7248

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F10J150E

F10J150E

ნაწილი საფონდო: 9611

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS150 27R F

HS150 27R F

ნაწილი საფონდო: 7095

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS100 10K F

HS100 10K F

ნაწილი საფონდო: 7730

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS100 150R F

HS100 150R F

ნაწილი საფონდო: 7749

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS100 300R F

HS100 300R F

ნაწილი საფონდო: 7704

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L25J2K0E

L25J2K0E

ნაწილი საფონდო: 9112

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS100 R33 J

HS100 R33 J

ნაწილი საფონდო: 7712

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L12J180E

L12J180E

ნაწილი საფონდო: 13377

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS100 3K F

HS100 3K F

ნაწილი საფონდო: 7759

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS75 47R F

HS75 47R F

ნაწილი საფონდო: 9187

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K7R50

TL88K7R50

ნაწილი საფონდო: 2264

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
HS150 56R F

HS150 56R F

ნაწილი საფონდო: 7097

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F20J20KE

F20J20KE

ნაწილი საფონდო: 9212

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L50J75R

L50J75R

ნაწილი საფონდო: 8069

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS50 25R F

HS50 25R F

ნაწილი საფონდო: 18721

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS100 1K6 F

HS100 1K6 F

ნაწილი საფონდო: 7734

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
F10J15RE

F10J15RE

ნაწილი საფონდო: 9756

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J1R0

F10J1R0

ნაწილი საფონდო: 8477

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J1K5E

F10J1K5E

ნაწილი საფონდო: 9240

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS100 500R F

HS100 500R F

ნაწილი საფონდო: 7739

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L12J4R7E

L12J4R7E

ნაწილი საფონდო: 12356

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L50J200

L50J200

ნაწილი საფონდო: 8064

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი