შასის მთის წინააღმდეგობები

HS100 10R J

HS100 10R J

ნაწილი საფონდო: 7110

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F30J1K5E

F30J1K5E

ნაწილი საფონდო: 5982

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J10RE

F30J10RE

ნაწილი საფონდო: 4994

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J75R

F55J75R

ნაწილი საფონდო: 5335

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J150E

L100J150E

ნაწილი საფონდო: 4944

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J100

F55J100

ნაწილი საფონდო: 5173

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J25KE

L175J25KE

ნაწილი საფონდო: 4097

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J1K5E

L175J1K5E

ნაწილი საფონდო: 4454

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J3K0E

F30J3K0E

ნაწილი საფონდო: 6035

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J3K0E

L100J3K0E

ნაწილი საფონდო: 5694

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F40J100E

F40J100E

ნაწილი საფონდო: 4822

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J2R0E

F55J2R0E

ნაწილი საფონდო: 5333

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J20K

L175J20K

ნაწილი საფონდო: 3788

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J15R

F30J15R

ნაწილი საფონდო: 5632

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L50J10RE

L50J10RE

ნაწილი საფონდო: 6607

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J4R0E

F55J4R0E

ნაწილი საფონდო: 5314

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J7K5E

L225J7K5E

ნაწილი საფონდო: 4113

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS100 2R2 J

HS100 2R2 J

ნაწილი საფონდო: 7079

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L50J100KE

L50J100KE

ნაწილი საფონდო: 4749

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J5R0E

L100J5R0E

ნაწილი საფონდო: 4650

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J500

L175J500

ნაწილი საფონდო: 4076

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J125

L175J125

ნაწილი საფონდო: 4110

წინააღმდეგობა: 125 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J500

F30J500

ნაწილი საფონდო: 5451

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J1K0E

F30J1K0E

ნაწილი საფონდო: 6035

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J750

L100J750

ნაწილი საფონდო: 4550

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J20KE

L100J20KE

ნაწილი საფონდო: 5009

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J400E

F55J400E

ნაწილი საფონდო: 5702

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS150 500R J

HS150 500R J

ნაწილი საფონდო: 7120

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L100J1K0E

L100J1K0E

ნაწილი საფონდო: 5167

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J25R

L100J25R

ნაწილი საფონდო: 4898

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J3R0

L100J3R0

ნაწილი საფონდო: 5171

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J1R0

F30J1R0

ნაწილი საფონდო: 5559

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F40J7R5E

F40J7R5E

ნაწილი საფონდო: 5965

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L50J1K5

L50J1K5

ნაწილი საფონდო: 6657

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J10KE

L100J10KE

ნაწილი საფონდო: 5041

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS150 27K F

HS150 27K F

ნაწილი საფონდო: 7122

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი