შასის მთის წინააღმდეგობები

825F33RE

825F33RE

ნაწილი საფონდო: 11843

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F30KE

825F30KE

ნაწილი საფონდო: 8198

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F30RE

825F30RE

ნაწილი საფონდო: 11914

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F27RE

825F27RE

ნაწილი საფონდო: 11901

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F22RE

825F22RE

ნაწილი საფონდო: 11866

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F220E

825F220E

ნაწილი საფონდო: 11487

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F16RE

825F16RE

ნაწილი საფონდო: 11872

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F20KE

825F20KE

ნაწილი საფონდო: 9356

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F13KE

825F13KE

ნაწილი საფონდო: 9343

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850FR20E

850FR20E

ნაწილი საფონდო: 8535

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F12RE

825F12RE

ნაწილი საფონდო: 11867

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F120E

825F120E

ნაწილი საფონდო: 11546

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850F27RE

850F27RE

ნაწილი საფონდო: 10324

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850F8R0E

850F8R0E

ნაწილი საფონდო: 10232

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850FR30

850FR30

ნაწილი საფონდო: 8682

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850FR70

850FR70

ნაწილი საფონდო: 8677

წინააღმდეგობა: 700 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850FR50

850FR50

ნაწილი საფონდო: 8674

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850F3K0

850F3K0

ნაწილი საფონდო: 8651

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850F2K0

850F2K0

ნაწილი საფონდო: 8665

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850F1K5

850F1K5

ნაწილი საფონდო: 8726

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
850F200

850F200

ნაწილი საფონდო: 3936

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825FR30

825FR30

ნაწილი საფონდო: 8745

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825FR50

825FR50

ნაწილი საფონდო: 8703

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825FR70

825FR70

ნაწილი საფონდო: 8676

წინააღმდეგობა: 700 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F75K

825F75K

ნაწილი საფონდო: 3913

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F3K0

825F3K0

ნაწილი საფონდო: 8730

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F2K0

825F2K0

ნაწილი საფონდო: 8675

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F200

825F200

ნაწილი საფონდო: 8674

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F15K

825F15K

ნაწილი საფონდო: 8698

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
825F15R

825F15R

ნაწილი საფონდო: 3866

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
810F50K

810F50K

ნაწილი საფონდო: 8663

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
810F6K0

810F6K0

ნაწილი საფონდო: 8680

წინააღმდეგობა: 6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
810F4R0

810F4R0

ნაწილი საფონდო: 13986

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
810F40R

810F40R

ნაწილი საფონდო: 8710

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
810F4K5

810F4K5

ნაწილი საფონდო: 8727

წინააღმდეგობა: 4.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
810F400

810F400

ნაწილი საფონდო: 8721

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი