ლოგიკის ტიპი: OR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, მახასიათებლები: Schmitt Trigger, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: XOR (Exclusive OR), სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: AND Gate, სქემების რაოდენობა: 2, შეყვანის რაოდენობა: 4, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: AND Gate, სქემების რაოდენობა: 2, შეყვანის რაოდენობა: 2, მახასიათებლები: Schmitt Trigger, ძაბვა - მიწოდება: 0.7V ~ 2.75V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 500nA,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, მახასიათებლები: Schmitt Trigger, ძაბვა - მიწოდება: 2.7V ~ 3.6V,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: NAND Gate, სქემების რაოდენობა: 3, შეყვანის რაოდენობა: 3, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: AND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 2.7V ~ 3.6V,
ლოგიკის ტიპი: OR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 50µA,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 50µA,
ლოგიკის ტიპი: NAND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 50µA,
ლოგიკის ტიპი: OR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: NAND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, მახასიათებლები: Schmitt Trigger, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: NAND Gate, სქემების რაოდენობა: 2, შეყვანის რაოდენობა: 4, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, მახასიათებლები: Schmitt Trigger, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: AND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: NAND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 40µA,
ლოგიკის ტიპი: NOR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 2.7V ~ 3.6V,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 2, შეყვანის რაოდენობა: 2, მახასიათებლები: Open Drain, ძაბვა - მიწოდება: 0.8V ~ 3.6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 500µA,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, ძაბვა - მიწოდება: 2.7V ~ 3.6V,
ლოგიკის ტიპი: OR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 1.2V ~ 3.6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 40µA,
ლოგიკის ტიპი: NAND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, მახასიათებლები: Schmitt Trigger, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: NOR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, მახასიათებლები: Schmitt Trigger, ძაბვა - მიწოდება: 1.2V ~ 3.6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 40µA,
ლოგიკის ტიპი: AND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 1.2V ~ 3.6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 40µA,
ლოგიკის ტიპი: NAND Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 1.2V ~ 3.6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 40µA,
ლოგიკის ტიპი: Inverter, სქემების რაოდენობა: 6, შეყვანის რაოდენობა: 6, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: OR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 2V ~ 6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 2µA,
ლოგიკის ტიპი: NOR Gate, სქემების რაოდენობა: 4, შეყვანის რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 1.2V ~ 3.6V, მიმდინარე - მშვიდი (მაქს): 40µA,
