დიოდები - RF

BAP51-02-TP

BAP51-02-TP

ნაწილი საფონდო: 190340

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 60V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 715mW,

სასურველი
BAP64-04W-TP

BAP64-04W-TP

ნაწილი საფონდო: 115663

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 175V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
BAP50-03-TP

BAP50-03-TP

ნაწილი საფონდო: 148227

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
BAP64-05-TP

BAP64-05-TP

ნაწილი საფონდო: 107735

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Common Cathode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 175V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

სასურველი
BAP64-05W-TP

BAP64-05W-TP

ნაწილი საფონდო: 155299

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Common Cathode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 175V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMBD301-TP

MMBD301-TP

ნაწილი საფონდო: 111015

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი