ოპტიკური სენსორები - ფოტოდიოდები

MTAPD-07-015

MTAPD-07-015

ნაწილი საფონდო: 3116

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 905nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTD3010N

MTD3010N

ნაწილი საფონდო: 8781

ტალღის სიგრძე: 900nm, ფერი - გაძლიერებული: Infrared (NIR)/Red, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 0.2 A/W @ 450nm,

სასურველი
MTPD1346-080

MTPD1346-080

ნაწილი საფონდო: 3173

სასურველი
MTAPD-06-006

MTAPD-06-006

ნაწილი საფონდო: 1735

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTAPD-06-010

MTAPD-06-010

ნაწილი საფონდო: 2050

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTAPD-07-007

MTAPD-07-007

ნაწილი საფონდო: 3163

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTAPD-07-003

MTAPD-07-003

ნაწილი საფონდო: 3327

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTAPD-06-011

MTAPD-06-011

ნაწილი საფონდო: 2362

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTAPD-06-015

MTAPD-06-015

ნაწილი საფონდო: 2075

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MT42-013

MT42-013

ნაწილი საფონდო: 3209

სასურველი
MTPD1346E-100

MTPD1346E-100

ნაწილი საფონდო: 210

ტალღის სიგრძე: 1300nm, სპექტრული დიაპაზონი: 800nm ~ 1750nm, დიოდის ტიპი: PIN - Single,

სასურველი
MTAPD-06-008

MTAPD-06-008

ნაწილი საფონდო: 2067

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTAPD-06-002

MTAPD-06-002

ნაწილი საფონდო: 2361

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTD3610D3

MTD3610D3

ნაწილი საფონდო: 39837

ტალღის სიგრძე: 940nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1060nm, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 0.45 A/W @ 660nm,

სასურველი
MTAPD-07-014

MTAPD-07-014

ნაწილი საფონდო: 3178

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 905nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTD5010N

MTD5010N

ნაწილი საფონდო: 13699

ტალღის სიგრძე: 850nm, ფერი - გაძლიერებული: Infrared (NIR)/Red, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 0.2 A/W @ 450nm, Რეაგირების დრო: 3.5ns,

სასურველი
MTAPD-07-001

MTAPD-07-001

ნაწილი საფონდო: 3355

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTAPD-06-005

MTAPD-06-005

ნაწილი საფონდო: 2044

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTAPD-07-012

MTAPD-07-012

ნაწილი საფონდო: 3374

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 905nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTD3010FC

MTD3010FC

ნაწილი საფონდო: 3253

სასურველი
MTPD1346-030

MTPD1346-030

ნაწილი საფონდო: 3120

ტალღის სიგრძე: 1300nm, ფერი - გაძლიერებული: Infrared (NIR)/Red, სპექტრული დიაპაზონი: 800nm ~ 1750nm, დიოდის ტიპი: PIN,

სასურველი
MTAPD-06-016-905F

MTAPD-06-016-905F

ნაწილი საფონდო: 77

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 905nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTAPD-06-012

MTAPD-06-012

ნაწილი საფონდო: 2386

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTPD1500D-2.5

MTPD1500D-2.5

ნაწილი საფონდო: 626

ტალღის სიგრძე: 440nm, სპექტრული დიაპაზონი: 150nm ~ 550nm, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 0.13 A/W @ 440nm,

სასურველი
MT03-003

MT03-003

ნაწილი საფონდო: 2590

ტალღის სიგრძე: 940nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 0.6 A/W @ 940nm, Რეაგირების დრო: 70ns,

სასურველი
MTAPD-07-015-905F

MTAPD-07-015-905F

ნაწილი საფონდო: 72

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 905nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTAPD-07-011

MTAPD-07-011

ნაწილი საფონდო: 3342

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 905nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTAPD-06-007

MTAPD-06-007

ნაწილი საფონდო: 1825

ტალღის სიგრძე: 800nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 50 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 300ps,

სასურველი
MTPD1346-150

MTPD1346-150

ნაწილი საფონდო: 3266

ტალღის სიგრძე: 1300nm, სპექტრული დიაპაზონი: 800nm ~ 1750nm, დიოდის ტიპი: PIN,

სასურველი
MTAPD-06-014

MTAPD-06-014

ნაწილი საფონდო: 1775

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTPD1346-100

MTPD1346-100

ნაწილი საფონდო: 3203

ტალღის სიგრძე: 1300nm, ფერი - გაძლიერებული: Infrared (NIR)/Red, სპექტრული დიაპაზონი: 800nm ~ 1750nm, დიოდის ტიპი: PIN,

სასურველი
MTAPD-06-016

MTAPD-06-016

ნაწილი საფონდო: 1770

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 800nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTD1200M3B

MTD1200M3B

ნაწილი საფონდო: 36187

ტალღის სიგრძე: 925nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, Რეაგირების დრო: 2µs,

სასურველი
MTPD1346C-080

MTPD1346C-080

ნაწილი საფონდო: 3159

სასურველი
MTAPD-07-012-905F

MTAPD-07-012-905F

ნაწილი საფონდო: 161

ტალღის სიგრძე: 905nm, სპექტრული დიაპაზონი: 400nm ~ 1100nm, დიოდის ტიპი: Avalanche, პასუხისმგებლობა @ ნმ: 55 A/W @ 905nm, Რეაგირების დრო: 600ps,

სასურველი
MTD3610G2

MTD3610G2

ნაწილი საფონდო: 3198

სასურველი