ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MIR10RK-SP3FNAB0T

MIR10RK-SP3FNAB0T

ნაწილი საფონდო: 2987

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MIR50R-SR3AKNAG0T

MIR50R-SR3AKNAG0T

ნაწილი საფონდო: 2945

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MTR680R-SR3JNAG0T

MTR680R-SR3JNAG0T

ნაწილი საფონდო: 2940

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MMR1R1K-SR1KKG0T

MMR1R1K-SR1KKG0T

ნაწილი საფონდო: 2975

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MTR-100R-SR3A-J-NA-G-0-T

MTR-100R-SR3A-J-NA-G-0-T

ნაწილი საფონდო: 33289

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MMR-8R0K-SR5-K-K-G-0-T

MMR-8R0K-SR5-K-K-G-0-T

ნაწილი საფონდო: 17082

წინააღმდეგობა: 8 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MMR-8R0K-SR5-K-K-B-0-T

MMR-8R0K-SR5-K-K-B-0-T

ნაწილი საფონდო: 17054

წინააღმდეგობა: 8 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MIR-1RK-SR3-F-NA-B-1-T

MIR-1RK-SR3-F-NA-B-1-T

ნაწილი საფონდო: 23371

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MMR-24RK-SR5-K-J-B-0-T

MMR-24RK-SR5-K-J-B-0-T

ნაწილი საფონდო: 34726

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MIR-100RK-SR3-G-NA-B-0-T

MIR-100RK-SR3-G-NA-B-0-T

ნაწილი საფონდო: 36207

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±2%, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MTR-4R7K-SR3-J-NA-G-0-T

MTR-4R7K-SR3-J-NA-G-0-T

ნაწილი საფონდო: 33376

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MTR-220R-SR3A-J-NA-G-0-T

MTR-220R-SR3A-J-NA-G-0-T

ნაწილი საფონდო: 33333

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი