ფიქსირებული ინდუქტორები

LPWI201608SR68T

LPWI201608SR68T

ნაწილი საფონდო: 9850

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,

სასურველი
LPWI252010HR33T

LPWI252010HR33T

ნაწილი საფონდო: 9138

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.8A,

სასურველი
LPWI201610S1R5T

LPWI201610S1R5T

ნაწილი საფონდო: 10029

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,

სასურველი
LPWI252010HR68T

LPWI252010HR68T

ნაწილი საფონდო: 9106

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,

სასურველი
LPWI201610SR24T

LPWI201610SR24T

ნაწილი საფონდო: 9986

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.1A,

სასურველი
LPWI201608SR24T

LPWI201608SR24T

ნაწილი საფონდო: 9168

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.6A,

სასურველი
LPWI201608S1R5T

LPWI201608S1R5T

ნაწილი საფონდო: 9190

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,

სასურველი
LPWI252010SR68T

LPWI252010SR68T

ნაწილი საფონდო: 9180

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.5A,

სასურველი
LPWI201610HR68T

LPWI201610HR68T

ნაწილი საფონდო: 9117

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.3A,

სასურველი
LPWI201608SR47T

LPWI201608SR47T

ნაწილი საფონდო: 9567

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,

სასურველი
LPWI201610H1R5T

LPWI201610H1R5T

ნაწილი საფონდო: 9910

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,

სასურველი
LPWI201610HR47T

LPWI201610HR47T

ნაწილი საფონდო: 9954

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.8A,

სასურველი
LPWI201610H1R0T

LPWI201610H1R0T

ნაწილი საფონდო: 9917

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,

სასურველი
LPWI201608S2R2T

LPWI201608S2R2T

ნაწილი საფონდო: 9955

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,

სასურველი
LPWI201610H2R2T

LPWI201610H2R2T

ნაწილი საფონდო: 9966

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
LPWI252010HR47T

LPWI252010HR47T

ნაწილი საფონდო: 9988

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,

სასურველი
LPWI252010H1R0T

LPWI252010H1R0T

ნაწილი საფონდო: 9955

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.1A,

სასურველი
LPWI252010H2R2T

LPWI252010H2R2T

ნაწილი საფონდო: 16229

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,

სასურველი
LPWI201608S1R0T

LPWI201608S1R0T

ნაწილი საფონდო: 9966

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,

სასურველი
LPWI252010S2R2T

LPWI252010S2R2T

ნაწილი საფონდო: 16272

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
LPWI201610S2R2T

LPWI201610S2R2T

ნაწილი საფონდო: 16285

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
LPWI201610SR47T

LPWI201610SR47T

ნაწილი საფონდო: 179

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი
LPWI201610SR68T

LPWI201610SR68T

ნაწილი საფონდო: 16294

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.7A,

სასურველი
LPWI252010S1R5T

LPWI252010S1R5T

ნაწილი საფონდო: 25890

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,

სასურველი
LPWI252010S1R0T

LPWI252010S1R0T

ნაწილი საფონდო: 9971

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,

სასურველი
LPWI252010SR47T

LPWI252010SR47T

ნაწილი საფონდო: 9908

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,

სასურველი
LPWI201610S1R0T

LPWI201610S1R0T

ნაწილი საფონდო: 16241

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,

სასურველი
LPWI252010SR33T

LPWI252010SR33T

ნაწილი საფონდო: 9993

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.3A,

სასურველი