ჩასმული - FPGA (დონის პროგრამირებადი კარიბჭე მასივ

LFE2M70E-7FN1152C

LFE2M70E-7FN1152C

ნაწილი საფონდო: 311

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 436, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-6FN1152C

LFE2M100SE-6FN1152C

ნაწილი საფონდო: 198

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFSC3GA25E-6FN900I

LFSC3GA25E-6FN900I

ნაწილი საფონდო: 310

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 6250, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 25000, სულ RAM ბიტი: 1966080, I / O– ს რაოდენობა: 378, ძაბვა - მიწოდება: 0.95V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE3-150EA-6LFN1156I

LFE3-150EA-6LFN1156I

ნაწილი საფონდო: 306

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 18625, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 149000, სულ RAM ბიტი: 7014400, I / O– ს რაოდენობა: 586, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-5FN1152C

LFE2M100E-5FN1152C

ნაწილი საფონდო: 219

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M70E-6FN1152I

LFE2M70E-6FN1152I

ნაწილი საფონდო: 242

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 436, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFSCM3GA25EP1-6FN900C

LFSCM3GA25EP1-6FN900C

ნაწილი საფონდო: 340

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 6250, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 25000, სულ RAM ბიტი: 1966080, I / O– ს რაოდენობა: 378, ძაბვა - მიწოდება: 0.95V ~ 1.26V,

სასურველი
LFSCM3GA25EP1-5FN900I

LFSCM3GA25EP1-5FN900I

ნაწილი საფონდო: 301

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 6250, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 25000, სულ RAM ბიტი: 1966080, I / O– ს რაოდენობა: 378, ძაბვა - მიწოდება: 0.95V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M70E-7FN900C

LFE2M70E-7FN900C

ნაწილი საფონდო: 281

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M70SE-6FN1152I

LFE2M70SE-6FN1152I

ნაწილი საფონდო: 298

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 436, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-6FN900I

LFE2M100SE-6FN900I

ნაწილი საფონდო: 201

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-6FN900C

LFE2M100SE-6FN900C

ნაწილი საფონდო: 230

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-5FN1152I

LFE2M100SE-5FN1152I

ნაწილი საფონდო: 165

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFSCM3GA25EP1-6FN900I

LFSCM3GA25EP1-6FN900I

ნაწილი საფონდო: 262

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 6250, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 25000, სულ RAM ბიტი: 1966080, I / O– ს რაოდენობა: 378, ძაბვა - მიწოდება: 0.95V ~ 1.26V,

სასურველი
LFSCM3GA25EP1-7FN900C

LFSCM3GA25EP1-7FN900C

ნაწილი საფონდო: 300

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 6250, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 25000, სულ RAM ბიტი: 1966080, I / O– ს რაოდენობა: 378, ძაბვა - მიწოდება: 0.95V ~ 1.26V,

სასურველი
LFSC3GA25E-7FN900C

LFSC3GA25E-7FN900C

ნაწილი საფონდო: 266

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 6250, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 25000, სულ RAM ბიტი: 1966080, I / O– ს რაოდენობა: 378, ძაბვა - მიწოდება: 0.95V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-6FN900C

LFE2M100E-6FN900C

ნაწილი საფონდო: 230

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-5FN1152I

LFE2M100E-5FN1152I

ნაწილი საფონდო: 186

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M70SE-7FN1152C

LFE2M70SE-7FN1152C

ნაწილი საფონდო: 278

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 436, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-7FN900C

LFE2M100E-7FN900C

ნაწილი საფონდო: 226

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-6FN1152C

LFE2M100E-6FN1152C

ნაწილი საფონდო: 196

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M70E-6FN900I

LFE2M70E-6FN900I

ნაწილი საფონდო: 265

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-6FN1152I

LFE2M100E-6FN1152I

ნაწილი საფონდო: 219

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M70SE-6FN900I

LFE2M70SE-6FN900I

ნაწილი საფონდო: 356

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE3-150EA-8LFN1156I

LFE3-150EA-8LFN1156I

ნაწილი საფონდო: 282

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 18625, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 149000, სულ RAM ბიტი: 7014400, I / O– ს რაოდენობა: 586, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-5FN900C

LFE2M100SE-5FN900C

ნაწილი საფონდო: 249

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-5FN900I

LFE2M100SE-5FN900I

ნაწილი საფონდო: 191

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-5FN900I

LFE2M100E-5FN900I

ნაწილი საფონდო: 274

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-6FN1152I

LFE2M100SE-6FN1152I

ნაწილი საფონდო: 153

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-5FN1152C

LFE2M100SE-5FN1152C

ნაწილი საფონდო: 205

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100SE-7FN900C

LFE2M100SE-7FN900C

ნაწილი საფონდო: 242

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE3-150EA-7LFN1156I

LFE3-150EA-7LFN1156I

ნაწილი საფონდო: 236

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 18625, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 149000, სულ RAM ბიტი: 7014400, I / O– ს რაოდენობა: 586, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M70SE-7FN900C

LFE2M70SE-7FN900C

ნაწილი საფონდო: 311

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 8375, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 67000, სულ RAM ბიტი: 4642816, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE3-150EA-8LFN1156C

LFE3-150EA-8LFN1156C

ნაწილი საფონდო: 364

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 18625, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 149000, სულ RAM ბიტი: 7014400, I / O– ს რაოდენობა: 586, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-6FN900I

LFE2M100E-6FN900I

ნაწილი საფონდო: 172

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 416, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი
LFE2M100E-7FN1152C

LFE2M100E-7FN1152C

ნაწილი საფონდო: 136

ლაბორატორიების / CLB– ების რაოდენობა: 11875, ლოგიკური ელემენტების / უჯრედების რაოდენობა: 95000, სულ RAM ბიტი: 5435392, I / O– ს რაოდენობა: 520, ძაბვა - მიწოდება: 1.14V ~ 1.26V,

სასურველი