საპარსები, ცვალებადი კონდენსატორები

A1W4HV

A1W4HV

ნაწილი საფონდო: 123

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 1000V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1J4HV

A1J4HV

ნაწილი საფონდო: 208

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 1000V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1T4HV

A1T4HV

ნაწილი საფონდო: 157

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 1000V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1M4HV

A1M4HV

ნაწილი საფონდო: 153

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 1000V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1P4HV

A1P4HV

ნაწილი საფონდო: 188

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 1000V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1F4HV

A1F4HV

ნაწილი საფონდო: 114

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 1000V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1T8S

A1T8S

ნაწილი საფონდო: 201

ტევადობის დიაპაზონი: 0.5 ~ 8pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1P12S

A1P12S

ნაწილი საფონდო: 156

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 12pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1M12S

A1M12S

ნაწილი საფონდო: 142

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 12pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1J12S

A1J12S

ნაწილი საფონდო: 198

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 12pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A3T10L

A3T10L

ნაწილი საფონდო: 141

ტევადობის დიაპაზონი: 1 ~ 10pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.300" Dia (7.62mm),

სასურველი
A3T10

A3T10

ნაწილი საფონდო: 179

ტევადობის დიაპაზონი: 1 ~ 10pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.300" Dia (7.62mm),

სასურველი
A3J10

A3J10

ნაწილი საფონდო: 133

ტევადობის დიაპაზონი: 1 ~ 10pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.300" Dia (7.62mm),

სასურველი
A3M10

A3M10

ნაწილი საფონდო: 113

ტევადობის დიაპაზონი: 1 ~ 10pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.300" Dia (7.62mm),

სასურველი
A3F10

A3F10

ნაწილი საფონდო: 152

ტევადობის დიაპაზონი: 1 ~ 10pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.300" Dia (7.62mm),

სასურველი
A3P10

A3P10

ნაწილი საფონდო: 130

ტევადობის დიაპაზონი: 1 ~ 10pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.300" Dia (7.62mm),

სასურველი
A3B10

A3B10

ნაწილი საფონდო: 133

ტევადობის დიაპაზონი: 1 ~ 10pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.300" Dia (7.62mm),

სასურველი
A4P5HV

A4P5HV

ნაწილი საფონდო: 141

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 5pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 500V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz,

სასურველი
A4M5HV

A4M5HV

ნაწილი საფონდო: 115

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 5pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 500V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz,

სასურველი
A4M3HV

A4M3HV

ნაწილი საფონდო: 176

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 3pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 500V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz,

სასურველი
A4P3HV

A4P3HV

ნაწილი საფონდო: 158

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 3pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 500V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz,

სასურველი
A4J3HV

A4J3HV

ნაწილი საფონდო: 179

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 3pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 500V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz,

სასურველი
A4J5HV

A4J5HV

ნაწილი საფონდო: 142

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 5pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 500V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz,

სასურველი
A1T8

A1T8

ნაწილი საფონდო: 150

ტევადობის დიაპაზონი: 0.5 ~ 8pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1J12

A1J12

ნაწილი საფონდო: 149

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 12pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1M12

A1M12

ნაწილი საფონდო: 192

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 12pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1P12

A1P12

ნაწილი საფონდო: 127

ტევადობის დიაპაზონი: 0.6 ~ 12pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1T4S

A1T4S

ნაწილი საფონდო: 194

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1J8

A1J8

ნაწილი საფონდო: 4752

ტევადობის დიაპაზონი: 0.5 ~ 8pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1S8S

A1S8S

ნაწილი საფონდო: 204

ტევადობის დიაპაზონი: 0.5 ~ 8pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz,

სასურველი
A1M4

A1M4

ნაწილი საფონდო: 5451

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1J4

A1J4

ნაწილი საფონდო: 5471

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Side, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1T4

A1T4

ნაწილი საფონდო: 176

ტევადობის დიაპაზონი: 0.45 ~ 4pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 250V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.160" Dia (4.06mm),

სასურველი
A1W8S

A1W8S

ნაწილი საფონდო: 178

ტევადობის დიაპაზონი: 0.5 ~ 8pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1F8S

A1F8S

ნაწილი საფონდო: 198

ტევადობის დიაპაზონი: 0.5 ~ 8pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი
A1M8S

A1M8S

ნაწილი საფონდო: 187

ტევადობის დიაპაზონი: 0.5 ~ 8pF, რეგულირების ტიპი: Top, ძაბვა - შეფასებული: 125V, დიელექტრიკული მასალა: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, ზომა / განზომილება: 0.120" Dia (3.05mm),

სასურველი