კერამიკული კონდენსატორები

C11CF1R0C-9UN-X1T

C11CF1R0C-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 213

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11CF1R2C-9ZN-X1T

C11CF1R2C-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 232

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH0R8B-9UN-X1T

C11AH0R8B-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 226

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R2C-9UN-X1T

C11AH1R2C-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 177

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH2R7B-9UN-X1T

C11AH2R7B-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 183

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH2R2B-9ZN-X1T

C11AH2R2B-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 254

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R4B-9UN-X1T

C11AH1R4B-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 198

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R0C-9UN-X1T

C11AH1R0C-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 226

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH3R0C-9UN-X1T

C11AH3R0C-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 209

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11CF2R7C-9UN-X1T

C11CF2R7C-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 243

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH3R3C-9ZN-X1T

C11AH3R3C-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 193

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R5B-9ZN-X1T

C11AH1R5B-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 231

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R1B-9ZN-X1T

C11AH1R1B-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 266

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11CF1R6C-9UN-X1T

C11CF1R6C-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 194

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R0C-9ZN-X1T

C11AH1R0C-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 201

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH3R3B-9UN-X1T

C11AH3R3B-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 200

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R3B-9ZN-X1T

C11AH1R3B-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 202

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R1B-9UN-X1T

C11AH1R1B-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 241

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11CF1R5C-9UN-X1T

C11CF1R5C-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 193

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11CF1R6C-9ZN-X1T

C11CF1R6C-9ZN-X1T

ნაწილი საფონდო: 182

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C11AH1R7B-9UN-X1T

C11AH1R7B-9UN-X1T

ნაწილი საფონდო: 244

ტევადობა: 1.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P90, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C04UL7R5C-6SN-X0T

C04UL7R5C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 167

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL6R8C-6SN-X0T

C04UL6R8C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 216

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL5R1C-6SN-X0T

C04UL5R1C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 181

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL4R3C-6SN-X0T

C04UL4R3C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 256

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL5R6C-6SN-X0T

C04UL5R6C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 217

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL9R1C-6SN-X0T

C04UL9R1C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 250

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL3R9C-6SN-X0T

C04UL3R9C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 214

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL8R2C-6SN-X0T

C04UL8R2C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 186

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
C04UL4R7C-6SN-X0T

C04UL4R7C-6SN-X0T

ნაწილი საფონდო: 230

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Ultra Low ESR, Gold Flash Termination,

სასურველი
P42BN820Z5ST

P42BN820Z5ST

ნაწილი საფონდო: 8651

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: BN, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, Low ESL, Epoxy Mountable,

სასურველი
V30BZ103M1SX

V30BZ103M1SX

ნაწილი საფონდო: 9462

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable, Single Layer,

სასურველი
V30BZ222M8SX

V30BZ222M8SX

ნაწილი საფონდო: 7565

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 150V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable, Single Layer,

სასურველი
V30BZ472M1SX

V30BZ472M1SX

ნაწილი საფონდო: 5394

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable, Single Layer,

სასურველი
V30BZ682M1SX

V30BZ682M1SX

ნაწილი საფონდო: 8007

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable, Single Layer,

სასურველი
V30BZ102M6SX

V30BZ102M6SX

ნაწილი საფონდო: 4029

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable, Single Layer,

სასურველი