ტანტალი - პოლიმერული კონდენსატორები

T541X686M030DT8510

T541X686M030DT8510

ნაწილი საფონდო: 134

ტევადობა: 68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 30V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T540D336K030DT8610

T540D336K030DT8610

ნაწილი საფონდო: 189

ტევადობა: 33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 30V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X686K030CH8720

T541X686K030CH8720

ნაწილი საფონდო: 167

ტევადობა: 68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 30V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X158M003DH8605

T541X158M003DH8605

ნაწილი საფონდო: 145

ტევადობა: 1500µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 3V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 12 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X687M004DT8605

T541X687M004DT8605

ნაწილი საფონდო: 194

ტევადობა: 680µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 12 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X107M030CT8720

T541X107M030CT8720

ნაწილი საფონდო: 194

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 30V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X107K020AH8720

T541X107K020AH8720

ნაწილი საფონდო: 117

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 20V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X157K016AT8710

T541X157K016AT8710

ნაწილი საფონდო: 204

ტევადობა: 150µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T550B227K008AH4250

T550B227K008AH4250

ნაწილი საფონდო: 2076

ტევადობა: 220µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 8V, ტიპი: Hermetically Sealed, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T541X337K016DT8610

T541X337K016DT8610

ნაწილი საფონდო: 204

ტევადობა: 330µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X476M030DT8710

T541X476M030DT8710

ნაწილი საფონდო: 192

ტევადობა: 47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 30V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T550B107M060AH4252

T550B107M060AH4252

ნაწილი საფონდო: 2160

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 60V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T540D337K004CH8705WAFL

T540D337K004CH8705WAFL

ნაწილი საფონდო: 4513

ტევადობა: 330µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X107K0BT8710

T541X107K0BT8710

ნაწილი საფონდო: 171

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±10%, ტიპი: Molded, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T550B107K060AH4251

T550B107K060AH4251

ნაწილი საფონდო: 1846

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 60V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T541X227M016DT8510

T541X227M016DT8510

ნაწილი საფონდო: 146

ტევადობა: 220µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T551B127M015AH4251

T551B127M015AH4251

ნაწილი საფონდო: 2094

ტევადობა: 120µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 15V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 110 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X686M0CT8710

T541X686M0CT8710

ნაწილი საფონდო: 136

ტევადობა: 68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ტიპი: Molded, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T550B107K060BH42510100

T550B107K060BH42510100

ნაწილი საფონდო: 1939

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 60V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T550B256M100AH42510100

T550B256M100AH42510100

ნაწილი საფონდო: 2164

ტევადობა: 25µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 190 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T550B107K050AH4250

T550B107K050AH4250

ნაწილი საფონდო: 2134

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 130 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T541X336K035CH8710

T541X336K035CH8710

ნაწილი საფონდო: 195

ტევადობა: 33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X108M003DH8705

T541X108M003DH8705

ნაწილი საფონდო: 113

ტევადობა: 1000µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 3V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 12 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T551B506K025AH

T551B506K025AH

ნაწილი საფონდო: 2108

ტევადობა: 50µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 170 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X477M010CT8710

T541X477M010CT8710

ნაწილი საფონდო: 196

ტევადობა: 470µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 20 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X108K2R5CT8505

T541X108K2R5CT8505

ნაწილი საფონდო: 135

ტევადობა: 1000µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2.5V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 12 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X107K030BT8720

T541X107K030BT8720

ნაწილი საფონდო: 163

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 30V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X157K016DH8510

T541X157K016DH8510

ნაწილი საფონდო: 161

ტევადობა: 150µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T551B506M025AH4251

T551B506M025AH4251

ნაწილი საფონდო: 2036

ტევადობა: 50µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 170 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T550B506M025AH

T550B506M025AH

ნაწილი საფონდო: 2422

ტევადობა: 50µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტიპი: Hermetically Sealed, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T550B406K030AH

T550B406K030AH

ნაწილი საფონდო: 2249

ტევადობა: 40µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 30V, ტიპი: Hermetically Sealed, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T541X687K004DT8505

T541X687K004DT8505

ნაწილი საფონდო: 184

ტევადობა: 680µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 12 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T550B827K006AH

T550B827K006AH

ნაწილი საფონდო: 2285

ტევადობა: 820µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6V, ტიპი: Hermetically Sealed, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T550B107K025AH

T550B107K025AH

ნაწილი საფონდო: 2099

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტიპი: Hermetically Sealed, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 190 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
T541X107M0DT8610

T541X107M0DT8610

ნაწილი საფონდო: 202

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±20%, ტიპი: Molded, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
T541X687K004CT8505

T541X687K004CT8505

ნაწილი საფონდო: 160

ტევადობა: 680µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტიპი: Molded, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 12 mOhm @ 100kHz, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი