ფიქსირებული ინდუქტორები

L-07W6N2SV4T

L-07W6N2SV4T

ნაწილი საფონდო: 9536

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA,

სასურველი
L-15W11NKV4E

L-15W11NKV4E

ნაწილი საფონდო: 5408

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
L-03C2N0SV4T

L-03C2N0SV4T

ნაწილი საფონდო: 5061

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-07C4N3SV4T

L-07C4N3SV4T

ნაწილი საფონდო: 5366

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C56NKV4T

L-07C56NKV4T

ნაწილი საფონდო: 5394

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
L-14C4N3SV4T

L-14C4N3SV4T

ნაწილი საფონდო: 5028

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C5N6SV4T

L-07C5N6SV4T

ნაწილი საფონდო: 5400

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14W8N2SV4E

L-14W8N2SV4E

ნაწილი საფონდო: 5149

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
L-07C3N9KV4T

L-07C3N9KV4T

ნაწილი საფონდო: 5344

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-03C1N2SV4T

L-03C1N2SV4T

ნაწილი საფონდო: 5031

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-14W9N0KV4E

L-14W9N0KV4E

ნაწილი საფონდო: 5410

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
L-14W13NJV4E

L-14W13NJV4E

ნაწილი საფონდო: 5370

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
L-15W40NGV4E

L-15W40NGV4E

ნაწილი საფონდო: 5416

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 40nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
L-03C1N0SV4T

L-03C1N0SV4T

ნაწილი საფონდო: 5047

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-14W36NJV4E

L-14W36NJV4E

ნაწილი საფონდო: 5428

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
L-14C8N7JV4T

L-14C8N7JV4T

ნაწილი საფონდო: 5039

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14W5N6SV4E

L-14W5N6SV4E

ნაწილი საფონდო: 5127

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
L-14W6N2SV4E

L-14W6N2SV4E

ნაწილი საფონდო: 5092

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
L-14W40NJV4E

L-14W40NJV4E

ნაწილი საფონდო: 5404

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 40nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
L-15W19NJV4E

L-15W19NJV4E

ნაწილი საფონდო: 5336

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
L-03C3N6SV4T

L-03C3N6SV4T

ნაწილი საფონდო: 5076

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-03C2N7SV4T

L-03C2N7SV4T

ნაწილი საფონდო: 5088

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-07C8N7KV4T

L-07C8N7KV4T

ნაწილი საფონდო: 5408

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.7nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
L-07C2N3SV6T

L-07C2N3SV6T

ნაწილი საფონდო: 5388

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-03C3N3SV4T

L-03C3N3SV4T

ნაწილი საფონდო: 5103

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-07W1N6SV4T

L-07W1N6SV4T

ნაწილი საფონდო: 9588

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,

სასურველი
L-07C33NJV4T

L-07C33NJV4T

ნაწილი საფონდო: 5343

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-03C1N9SV4T

L-03C1N9SV4T

ნაწილი საფონდო: 5061

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-07C6N8JV4T

L-07C6N8JV4T

ნაწილი საფონდო: 5385

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
L-07C43NKV4T

L-07C43NKV4T

ნაწილი საფონდო: 5353

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
L-07C3N6KV4T

L-07C3N6KV4T

ნაწილი საფონდო: 5314

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C18NKV4T

L-07C18NKV4T

ნაწილი საფონდო: 5283

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-14W19NJV4E

L-14W19NJV4E

ნაწილი საფონდო: 5388

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
L-07CR12KV4T

L-07CR12KV4T

ნაწილი საფონდო: 9622

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
L-07C8N7JV4T

L-07C8N7JV4T

ნაწილი საფონდო: 5414

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
L-07C6N2SV4T

L-07C6N2SV4T

ნაწილი საფონდო: 5376

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი