ფიქსირებული ინდუქტორები

L-14C22NJV4T

L-14C22NJV4T

ნაწილი საფონდო: 157331

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C10NJV4T

L-14C10NJV4T

ნაწილი საფონდო: 144487

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C1N5SV4T

L-14C1N5SV4T

ნაწილი საფონდო: 168138

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C3N9SV4T

L-14C3N9SV4T

ნაწილი საფონდო: 176869

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C4N7SV4T

L-14C4N7SV4T

ნაწილი საფონდო: 167520

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C47NJV4T

L-14C47NJV4T

ნაწილი საფონდო: 129399

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C12NKV4T

L-14C12NKV4T

ნაწილი საფონდო: 133144

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C27NKV4T

L-14C27NKV4T

ნაწილი საფონდო: 132195

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C10NKV4T

L-14C10NKV4T

ნაწილი საფონდო: 100738

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C15NKV4T

L-14C15NKV4T

ნაწილი საფონდო: 188656

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14CR15KV4T

L-14CR15KV4T

ნაწილი საფონდო: 165021

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C82NJV4T

L-14C82NJV4T

ნაწილი საფონდო: 143471

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C33NJV4T

L-14C33NJV4T

ნაწილი საფონდო: 198605

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C8N2JV4T

L-14C8N2JV4T

ნაწილი საფონდო: 179711

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-14C6N8JV4T

L-14C6N8JV4T

ნაწილი საფონდო: 136404

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C5N6SV6T

L-07C5N6SV6T

ნაწილი საფონდო: 137029

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C1N9SV6T

L-07C1N9SV6T

ნაწილი საფონდო: 157044

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07CR10KV6T

L-07CR10KV6T

ნაწილი საფონდო: 172023

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
L-05B6N8JV6T

L-05B6N8JV6T

ნაწილი საფონდო: 155963

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
L-07C2N4SV6T

L-07C2N4SV6T

ნაწილი საფონდო: 148607

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-05B2N2SV6T

L-05B2N2SV6T

ნაწილი საფონდო: 120654

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C47NKV6T

L-07C47NKV6T

ნაწილი საფონდო: 116507

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
L-07C68NKV6T

L-07C68NKV6T

ნაწილი საფონდო: 110108

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
L-07C3N9KV6T

L-07C3N9KV6T

ნაწილი საფონდო: 168804

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C22NKV6T

L-07C22NKV6T

ნაწილი საფონდო: 190210

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-07C3N9SV6T

L-07C3N9SV6T

ნაწილი საფონდო: 178713

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C1N2SV6T

L-07C1N2SV6T

ნაწილი საფონდო: 129772

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C3N0SV6T

L-07C3N0SV6T

ნაწილი საფონდო: 173499

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C5N6KV6T

L-07C5N6KV6T

ნაწილი საფონდო: 105399

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-05B5N6SV6T

L-05B5N6SV6T

ნაწილი საფონდო: 113468

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C5N1SV6T

L-07C5N1SV6T

ნაწილი საფონდო: 189118

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C4N7KV6T

L-07C4N7KV6T

ნაწილი საფონდო: 167885

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C33NKV6T

L-07C33NKV6T

ნაწილი საფონდო: 123879

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L-07C4N3SV6T

L-07C4N3SV6T

ნაწილი საფონდო: 127588

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07C3N3SV6T

L-07C3N3SV6T

ნაწილი საფონდო: 193089

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L-07CR12KV6T

L-07CR12KV6T

ნაწილი საფონდო: 119746

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი