ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8.5V ~ 35V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 35V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 30V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 35V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 3.65V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 35V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 6V, 9.6V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 3.65V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 30V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
