ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 1

GWS9294

ნაწილი საფონდო: 2995

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

ნაწილი საფონდო: 3027

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Renesas Electronics America Inc.

KGF6N05D-400

ნაწილი საფონდო: 2987

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 5.5V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 0.9V @ 250µA,

სასურველი

Renesas Electronics America Inc.

KGF16N05D-400

ნაწილი საფონდო: 3372

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 5.5V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 0.9V @ 250µA,

სასურველი

Renesas Electronics America Inc.

GWS9293

ნაწილი საფონდო: 3370

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი