გაზის სენსორები

KGZ12DITT5V

ნაწილი საფონდო: 1177

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 2 mbar ~ 3 bar, სიზუსტე: < 5 mbar, გამომავალი: Voltage, ოპერაციული ტემპერატურა: 700°C, ძაბვა - მიწოდება: 4V,

MF020-2-LC4

ნაწილი საფონდო: 85

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 1000 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 4mA ~ 20mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

GMS20F-5

ნაწილი საფონდო: 8562

GMS20F-50

ნაწილი საფონდო: 4828

KGZ-NGL-096

ნაწილი საფონდო: 4859

KGZ21

ნაწილი საფონდო: 4517

MF010-0-LC4-200

ნაწილი საფონდო: 4452

KGZ10

ნაწილი საფონდო: 259

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 2 mbar ~ 3 bar, სიზუსტე: < 5 mbar, გამომავალი: 45mV, 64mV, 85mV, ოპერაციული ტემპერატურა: 700°C, ძაბვა - მიწოდება: 4.35V,

MF010-0-LC1

ნაწილი საფონდო: 4393

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 250 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 0 V ~ 10 V, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

KGZ12DITT4V-150

ნაწილი საფონდო: 4228

KGZBL100

ნაწილი საფონდო: 8465

GMS-MSTH2.S.V.3

ნაწილი საფონდო: 4100

KGZ-NGL

ნაწილი საფონდო: 4021

GMS10SENSORS

ნაწილი საფონდო: 4080

MF020-0-LC4

ნაწილი საფონდო: 92

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 1000 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 4mA ~ 20mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

GMS10AUT/MF010

ნაწილი საფონდო: 3637

KGZ12DITT

ნაწილი საფონდო: 1141

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 2 mbar ~ 3 bar, სიზუსტე: < 5 mbar, გამომავალი: Voltage, ოპერაციული ტემპერატურა: 700°C, ძაბვა - მიწოდება: 4V,

MF020-1-LC1

ნაწილი საფონდო: 43

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 250 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 0 V ~ 10 V, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

GMS10WH

ნაწილი საფონდო: 3325

KGZ12DITT4V

ნაწილი საფონდო: 1222

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 2 mbar ~ 3 bar, სიზუსტე: < 5 mbar, გამომავალი: Voltage, ოპერაციული ტემპერატურა: 700°C, ძაბვა - მიწოდება: 4V,

MF020-2-LC3

ნაწილი საფონდო: 62

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 250 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 4mA ~ 20mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

KGZ-10SP-5PIN REV1

ნაწილი საფონდო: 3352

KGZ12

ნაწილი საფონდო: 224

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 2 mbar ~ 3 bar, სიზუსტე: < 5 mbar, გამომავალი: Voltage, ოპერაციული ტემპერატურა: 700°C, ძაბვა - მიწოდება: 4V,

KGZ10-SP

ნაწილი საფონდო: 186

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 2 mbar ~ 3 bar, სიზუსტე: < 5 mbar, გამომავალი: 45mV, 64mV, 85mV, ოპერაციული ტემპერატურა: 700°C, ძაბვა - მიწოდება: 4.35V,

MF020-1-LC3

ნაწილი საფონდო: 23

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 250 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 4mA ~ 20mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

MF010-0-LC3

ნაწილი საფონდო: 59

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 250 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 4mA ~ 20mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

MF010-0-LC4

ნაწილი საფონდო: 60

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 1 mbar ~ 1000 mbar, სიზუსტე: ±2%, გამომავალი: 4mA ~ 20mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -10°C ~ 50°C, ძაბვა - მიწოდება: 22.8V ~ 25.2V,

GMS10RVS

ნაწილი საფონდო: 232

ტიპი: Oxygen, ჟანგბადის დიაპაზონი: 2 mbar ~ 3 bar, სიზუსტე: < 5 mbar, გამომავალი: 45mV, 64mV, 85mV, ოპერაციული ტემპერატურა: 700°C, ძაბვა - მიწოდება: 4V,