ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3816

ნაწილი საფონდო: 157207

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2801

ნაწილი საფონდო: 131253

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4627

ნაწილი საფონდო: 147700

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6932A

ნაწილი საფონდო: 154428

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A, 36A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8814

ნაწილი საფონდო: 164101

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3814

ნაწილი საფონდო: 195278

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4862E

ნაწილი საფონდო: 245

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3818

ნაწილი საფონდო: 123956

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD661

ნაწილი საფონდო: 243

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 12A, 10V, 22.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2804B

ნაწილი საფონდო: 168

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.3V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4840E

ნაწილი საფონდო: 175

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.6V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD603A

ნაწილი საფონდო: 166389

FET ტიპი: N and P-Channel, Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6604

ნაწილი საფონდო: 164973

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 4.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6808

ნაწილი საფონდო: 128425

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6810

ნაწილი საფონდო: 195

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2870

ნაწილი საფონდო: 192

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.3V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6932

ნაწილი საფონდო: 253

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 1.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6906A

ნაწილი საფონდო: 141209

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6992

ნაწილი საფონდო: 167444

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 19A, 31A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7800

ნაწილი საფონდო: 101225

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 900mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6934A

ნაწილი საფონდო: 192175

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5816

ნაწილი საფონდო: 242

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.3V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3820

ნაწილი საფონდო: 237

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.3V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6926

ნაწილი საფონდო: 176157

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A, 12A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4616

ნაწილი საფონდო: 137081

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSD62666E

ნაწილი საფონდო: 234

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4892

ნაწილი საფონდო: 184805

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.8V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4832

ნაწილი საფონდო: 146127

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD607A

ნაწილი საფონდო: 189762

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), 12A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, 27 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926C

ნაწილი საფონდო: 121665

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4854

ნაწილი საფონდო: 178118

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6930

ნაწილი საფონდო: 215

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), 85A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6608

ნაწილი საფონდო: 153844

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6994

ნაწილი საფონდო: 185070

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 19A, 26A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6912A

ნაწილი საფონდო: 191296

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, 13.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8808A

ნაწილი საფონდო: 192801

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

267

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»