ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

AOT462_002

ნაწილი საფონდო: 2203

AOT440L_001

ნაწილი საფონდო: 2229

AOT440L

ნაწილი საფონდო: 2227

AOT416_002

ნაწილი საფონდო: 2187

AOT416L_001

ნაწილი საფონდო: 2209

AON7452L

ნაწილი საფონდო: 2143

AON7448L

ნაწილი საფონდო: 2237

AON6504_001

ნაწილი საფონდო: 2158

AON7444L

ნაწილი საფონდო: 2198

AON6450L_001

ნაწილი საფონდო: 2168

AON6454A_001

ნაწილი საფონდო: 2211

AON6444L

ნაწილი საფონდო: 2174

AON6450L

ნაწილი საფონდო: 2149

AON6400L

ნაწილი საფონდო: 2173

AON6270_001

ნაწილი საფონდო: 2186

AON2707_001

ნაწილი საფონდო: 6233

AON2705_001

ნაწილი საფონდო: 2197

AOD446_001

ნაწილი საფონდო: 2232

AOD2908_002

ნაწილი საფონდო: 2189

AOD2908_001

ნაწილი საფონდო: 2180

AOD2610_002

ნაწილი საფონდო: 2228

AOD254_004

ნაწილი საფონდო: 2222

AOD2610_001

ნაწილი საფონდო: 2175

AOD254_002

ნაწილი საფონდო: 2179

AOB480L_001

ნაწილი საფონდო: 2202

AOB2906

ნაწილი საფონდო: 2164

AO8807L

ნაწილი საფონდო: 2209

AO4821_101

ნაწილი საფონდო: 2180

AO4478L

ნაწილი საფონდო: 2171

AO4454L

ნაწილი საფონდო: 2191

AOD9T40P

ნაწილი საფონდო: 153410

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

AON7548_101

ნაწილი საფონდო: 2175

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 24A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON7416_101

ნაწილი საფონდო: 2203

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 40A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON7422E_101

ნაწილი საფონდო: 2195

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

AON7402_101

ნაწილი საფონდო: 2167

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 39A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

AON7400B_101

ნაწილი საფონდო: 2167

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,