მეხსიერება

AS7C32096A-12TINTR

AS7C32096A-12TINTR

ნაწილი საფონდო: 21202

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS7C32098A-12TINTR

AS7C32098A-12TINTR

ნაწილი საფონდო: 21227

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS7C32098A-12TCNTR

AS7C32098A-12TCNTR

ნაწილი საფონდო: 21170

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS7C32098A-10TCNTR

AS7C32098A-10TCNTR

ნაწილი საფონდო: 21171

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C32096A-12TCNTR

AS7C32096A-12TCNTR

ნაწილი საფონდო: 21136

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS7C32096A-10TCNTR

AS7C32096A-10TCNTR

ნაწილი საფონდო: 21179

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C32096A-10TINTR

AS7C32096A-10TINTR

ნაწილი საფონდო: 21226

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C32098A-10TINTR

AS7C32098A-10TINTR

ნაწილი საფონდო: 21201

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C32096A-15TCNTR

AS7C32096A-15TCNTR

ნაწილი საფონდო: 21227

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C32098A-15TINTR

AS7C32098A-15TINTR

ნაწილი საფონდო: 21220

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C32098A-15TCNTR

AS7C32098A-15TCNTR

ნაწილი საფონდო: 21135

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

ნაწილი საფონდო: 55

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
AS4C32M16D2A-25BANTR

AS4C32M16D2A-25BANTR

ნაწილი საფონდო: 147

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D3LB-12BCNTR

AS4C64M16D3LB-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 86

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D3B-12BCNTR

AS4C64M16D3B-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 66

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C164A-15PCN

AS7C164A-15PCN

ნაწილი საფონდო: 114

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C164A-15PIN

AS7C164A-15PIN

ნაწილი საფონდო: 71

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16D1-5BCN

AS4C32M16D1-5BCN

ნაწილი საფონდო: 21751

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS6C4008A-55BIN

AS6C4008A-55BIN

ნაწილი საფონდო: 21813

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C64M8D2-25BCNTR

AS4C64M8D2-25BCNTR

ნაწილი საფონდო: 21837

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C34096B-10BINTR

AS7C34096B-10BINTR

ნაწილი საფონდო: 109

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS6C4016-55BINTR

AS6C4016-55BINTR

ნაწილი საფონდო: 21844

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C64M16D2A-25BCNTR

AS4C64M16D2A-25BCNTR

ნაწილი საფონდო: 88

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS6C4008-55BINTR

AS6C4008-55BINTR

ნაწილი საფონდო: 21927

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C8M16SA-6BINTR

AS4C8M16SA-6BINTR

ნაწილი საფონდო: 117

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

ნაწილი საფონდო: 22167

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

ნაწილი საფონდო: 22323

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D2B-25BCN

AS4C64M16D2B-25BCN

ნაწილი საფონდო: 96

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M8D1-5TIN

AS4C32M8D1-5TIN

ნაწილი საფონდო: 22301

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C34096B-10TIN

AS7C34096B-10TIN

ნაწილი საფონდო: 102

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C34098B-10TIN

AS7C34098B-10TIN

ნაწილი საფონდო: 76

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS4C16M16D1-5BINTR

AS4C16M16D1-5BINTR

ნაწილი საფონდო: 22417

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

ნაწილი საფონდო: 133

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
AS4C4M32D1A-5BINTR

AS4C4M32D1A-5BINTR

ნაწილი საფონდო: 22682

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

ნაწილი საფონდო: 115

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

ნაწილი საფონდო: 22721

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი