კრისტალები

FA-238 18.4320MB-K3

FA-238 18.4320MB-K3

ნაწილი საფონდო: 190004

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FA-238 31.2500MB50X-W

FA-238 31.2500MB50X-W

ნაწილი საფონდო: 78

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 50.0000MA30X-K3

FA-238 50.0000MA30X-K3

ნაწილი საფონდო: 155

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 30.0000MF10V-K3

TSX-3225 30.0000MF10V-K3

ნაწილი საფონდო: 140

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 25.0000MB-G3

FA-238 25.0000MB-G3

ნაწილი საფონდო: 156542

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 48.0000MF10Z-B

TSX-3225 48.0000MF10Z-B

ნაწილი საფონდო: 149

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 27.0000MB-K

FA-238 27.0000MB-K

ნაწილი საფონდო: 105

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238 30.0000MD-K

FA-238 30.0000MD-K

ნაწილი საფონდო: 113

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 16.0000MB-AG3

FA-238 16.0000MB-AG3

ნაწილი საფონდო: 195030

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FA-238 30.0000MB-K

FA-238 30.0000MB-K

ნაწილი საფონდო: 138

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 24.5760MA25V-K

FA-238 24.5760MA25V-K

ნაწილი საფონდო: 116

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-238 27.0000MB-AJ3

FA-238 27.0000MB-AJ3

ნაწილი საფონდო: 105236

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238 25.0000MD30X-C3

FA-238 25.0000MD30X-C3

ნაწილი საფონდო: 175049

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238 27.0000MB-A

FA-238 27.0000MB-A

ნაწილი საფონდო: 162

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238 30.0000MD30X-AG3

FA-238 30.0000MD30X-AG3

ნაწილი საფონდო: 150

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-20H 16.0000MF10Z-AJ5

FA-20H 16.0000MF10Z-AJ5

ნაწილი საფონდო: 168457

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 26.0000MF10P-AS

TSX-3225 26.0000MF10P-AS

ნაწილი საფონდო: 170

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 24.0000MF15X-E

TSX-3225 24.0000MF15X-E

ნაწილი საფონდო: 125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 25.0000MA20V-AJ

FA-238 25.0000MA20V-AJ

ნაწილი საფონდო: 110

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 27.0000MF20X-AJ

TSX-3225 27.0000MF20X-AJ

ნაწილი საფონდო: 79

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 24.0000MF10R-K3

TSX-3225 24.0000MF10R-K3

ნაწილი საფონდო: 182794

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 24.0000MD50V-C

FA-238 24.0000MD50V-C

ნაწილი საფონდო: 159

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-238 50.0000MA30V-C

FA-238 50.0000MA30V-C

ნაწილი საფონდო: 132

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 25.0000MD-G

FA-238 25.0000MD-G

ნაწილი საფონდო: 110

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 24.0000MF18X-C3

TSX-3225 24.0000MF18X-C3

ნაწილი საფონდო: 152542

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±18ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 24.0000MF09Z-AC3

TSX-3225 24.0000MF09Z-AC3

ნაწილი საფონდო: 145554

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±9ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 20.0000MF20X-W

TSX-3225 20.0000MF20X-W

ნაწილი საფონდო: 117

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-20H 26.0000MF12V-W0

FA-20H 26.0000MF12V-W0

ნაწილი საფონდო: 190726

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±12ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-238 50.0000MB30X-K

FA-238 50.0000MB30X-K

ნაწილი საფონდო: 77

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 28.6363MF20X-B

TSX-3225 28.6363MF20X-B

ნაწილი საფონდო: 110

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6363MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 16.0000MB-W

FA-238 16.0000MB-W

ნაწილი საფონდო: 138

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
TSX-3225 20.0000MF10Z-AC

TSX-3225 20.0000MF10Z-AC

ნაწილი საფონდო: 75

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-238 40.0000MB-C

FA-238 40.0000MB-C

ნაწილი საფონდო: 130

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 30.0000MA30V-AC

FA-238 30.0000MA30V-AC

ნაწილი საფონდო: 85

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FA-238 28.63636MB-B

FA-238 28.63636MB-B

ნაწილი საფონდო: 151

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.63636MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238 26.0000MB-K

FA-238 26.0000MB-K

ნაწილი საფონდო: 110

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი