კრისტალები

FA-365 24.5760MB-C0

FA-365 24.5760MB-C0

ნაწილი საფონდო: 6983

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238V 12.0000MD-G

FA-238V 12.0000MD-G

ნაწილი საფონდო: 148

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC-135 32.7680KQ-A

FC-135 32.7680KQ-A

ნაწილი საფონდო: 187

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
MA-306 18.0000M-C0:ROHS

MA-306 18.0000M-C0:ROHS

ნაწილი საფონდო: 97356

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-118T 26.0000MF10Z-AJ0

FA-118T 26.0000MF10Z-AJ0

ნაწილი საფონდო: 97353

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
FA-365 19.4444MC-F

FA-365 19.4444MC-F

ნაწილი საფონდო: 7409

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.4444MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-365 14.3187MB-K

FA-365 14.3187MB-K

ნაწილი საფონდო: 7458

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.3187MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238V 13.0000MA50X-AC

FA-238V 13.0000MA50X-AC

ნაწილი საფონდო: 162

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
MA-306 18.0000M-C3:ROHS

MA-306 18.0000M-C3:ROHS

ნაწილი საფონდო: 79809

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-238V 12.0000MD-W

FA-238V 12.0000MD-W

ნაწილი საფონდო: 74

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FA-238V 14.7456MB-C

FA-238V 14.7456MB-C

ნაწილი საფონდო: 132

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FA-365 30.0000MC-K

FA-365 30.0000MC-K

ნაწილი საფონდო: 1758

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA2016AN 24.5760MF10Z-K3

FA2016AN 24.5760MF10Z-K3

ნაწილი საფონდო: 131

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
MA-306 33.3333M-C0:ROHS

MA-306 33.3333M-C0:ROHS

ნაწილი საფონდო: 97402

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-238V 12.0000MF10V-A3

FA-238V 12.0000MF10V-A3

ნაწილი საფონდო: 96403

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FA-365 26.4512MC-C3

FA-365 26.4512MC-C3

ნაწილი საფონდო: 7407

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.4512MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-365 16.1280MC-C

FA-365 16.1280MC-C

ნაწილი საფონდო: 7393

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.128MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-365 33.3330MB-K0

FA-365 33.3330MB-K0

ნაწილი საფონდო: 7041

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238V 12.0000MB50X-C

FA-238V 12.0000MB50X-C

ნაწილი საფონდო: 129

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FA-365 33.3333MB-K3

FA-365 33.3333MB-K3

ნაწილი საფონდო: 7510

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238V 12.0000MA20V-C3

FA-238V 12.0000MA20V-C3

ნაწილი საფონდო: 96431

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FA-365 20.0000MB-G

FA-365 20.0000MB-G

ნაწილი საფონდო: 7453

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-365 40.0000MB-W

FA-365 40.0000MB-W

ნაწილი საფონდო: 7404

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
MA-306 28.63636M-C3:PURE SN

MA-306 28.63636M-C3:PURE SN

ნაწილი საფონდო: 79803

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.63636MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
MA-306 25.0000M-C3:ROHS

MA-306 25.0000M-C3:ROHS

ნაწილი საფონდო: 79776

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FA-238V 14.7456MF23X-K

FA-238V 14.7456MF23X-K

ნაწილი საფონდო: 74

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±23ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
C-2 40.0000K-P:PBFREE

C-2 40.0000K-P:PBFREE

ნაწილი საფონდო: 77963

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 40kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100ppm, დატვირთვის მოცულობა: 11pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 20 kOhms,

სასურველი
FA-238V 12.0000MB-C

FA-238V 12.0000MB-C

ნაწილი საფონდო: 77

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FA-365 35.0000MB-A

FA-365 35.0000MB-A

ნაწილი საფონდო: 7460

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FC-13A 32.7680KA-AC

FC-13A 32.7680KA-AC

ნაწილი საფონდო: 131

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
FA-238V 14.31818MB-G

FA-238V 14.31818MB-G

ნაწილი საფონდო: 78

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FA-365 35.0000MB-G

FA-365 35.0000MB-G

ნაწილი საფონდო: 7455

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-365 14.7456MB-W

FA-365 14.7456MB-W

ნაწილი საფონდო: 7470

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-365 20.0000MB-G0

FA-365 20.0000MB-G0

ნაწილი საფონდო: 7036

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
FA-238V 14.31818MB-G3

FA-238V 14.31818MB-G3

ნაწილი საფონდო: 96421

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
MC-405 32.7680K-AB: ROHS

MC-405 32.7680K-AB: ROHS

ნაწილი საფონდო: 111

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 30pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 kOhms,

სასურველი