Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ფერიტის ბირთვები

B65811J0250J041
EPCOS (TDK)

B65811J0250J041

ნაწილი საფონდო: 39414

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±5%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
B65981A0000R087
EPCOS (TDK)

B65981A0000R087

ნაწილი საფონდო: 14882

ბირთვის ტიპი: PQ, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 6.5µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 50 x 50,

სასურველი
B66367G0000X197
EPCOS (TDK)

B66367G0000X197

ნაწილი საფონდო: 28054

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 49 x 25 x 16,

სასურველი
B64290L0659X830
EPCOS (TDK)

B64290L0659X830

ნაწილი საფონდო: 14565

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 7µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: N30, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 41.80mm,

სასურველი
B66329G0000X127
EPCOS (TDK)

B66329G0000X127

ნაწილი საფონდო: 37624

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 42 x 21 x 20,

სასურველი
B65945A0000X022
EPCOS (TDK)

B65945A0000X022

ნაწილი საფონდო: 2181

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), უფსკრული: N22, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 70.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P Core Half 70 x 14.5,

სასურველი
B65815E0160A087
EPCOS (TDK)

B65815E0160A087

ნაწილი საფონდო: 19470

ბირთვის ტიპი: RM, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 12,

სასურველი
B66344G0000X127
EPCOS (TDK)

B66344G0000X127

ნაწილი საფონდო: 27254

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 55 x 28 x 25,

სასურველი
B64290L0618X027
EPCOS (TDK)

B64290L0618X027

ნაწილი საფონდო: 69791

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.15µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: N27, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 26.60mm,

სასურველი
B65807N0063A033
EPCOS (TDK)

B65807N0063A033

ნაწილი საფონდო: 31564

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 63nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: M33, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 6,

სასურველი
B64290L0022X065
EPCOS (TDK)

B64290L0022X065

ნაწილი საფონდო: 31512

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, უფსკრული: T65, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 43.60mm,

სასურველი
B65811D0400A048
EPCOS (TDK)

B65811D0400A048

ნაწილი საფონდო: 35246

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 400nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: N48, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
B65811J1600K041
EPCOS (TDK)

B65811J1600K041

ნაწილი საფონდო: 39449

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 1.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
B66329G0000X197
EPCOS (TDK)

B66329G0000X197

ნაწილი საფონდო: 44484

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 42 x 21 x 20,

სასურველი
B65621J0000R048
EPCOS (TDK)

B65621J0000R048

ნაწილი საფონდო: 6170

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 8.4µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N48, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 41.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 41 x 25,

სასურველი
B64290L0082X065
EPCOS (TDK)

B64290L0082X065

ნაწილი საფონდო: 8534

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, უფსკრული: T65, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 51.80mm,

სასურველი
B66335G0000X127
EPCOS (TDK)

B66335G0000X127

ნაწილი საფონდო: 20546

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 55 x 28 x 21,

სასურველი
B64290A0048X001
EPCOS (TDK)

B64290A0048X001

ნაწილი საფონდო: 20550

ბირთვის ტიპი: Toroid,

სასურველი
B65807J0000R608
EPCOS (TDK)

B65807J0000R608

ნაწილი საფონდო: 594

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: PC200, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 6,

სასურველი
B66387G0000X127
EPCOS (TDK)

B66387G0000X127

ნაწილი საფონდო: 13906

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 65 x 32 x 27,

სასურველი
B64290A0084X830
EPCOS (TDK)

B64290A0084X830

ნაწილი საფონდო: 2289

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5.5µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: N30, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 102.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): R 102 x 65.8 x 15,

სასურველი
B65701T1000A048
EPCOS (TDK)

B65701T1000A048

ნაწილი საფონდო: 9359

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 1µH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: N48, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 30.50mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 30 x 19,

სასურველი
B64290L0647X037
EPCOS (TDK)

B64290L0647X037

ნაწილი საფონდო: 24015

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 8.5µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: T37, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 31.00mm,

სასურველი
B64290A0022X033
EPCOS (TDK)

B64290A0022X033

ნაწილი საფონდო: 22630

ბირთვის ტიპი: Toroid,

სასურველი
B66363G0500X127
EPCOS (TDK)

B66363G0500X127

ნაწილი საფონდო: 54341

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 39 x 20 x 13,

სასურველი
B64290L0674X830
EPCOS (TDK)

B64290L0674X830

ნაწილი საფონდო: 26532

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5.75µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: N30, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 37.50mm,

სასურველი
B67345B0004X087
EPCOS (TDK)

B67345B0004X087

ნაწილი საფონდო: 6042

ბირთვის ტიპი: I, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): I 93 x 28 x 16,

სასურველი
B65887E0160A087
EPCOS (TDK)

B65887E0160A087

ნაწილი საფონდო: 12185

ბირთვის ტიპი: RM, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 14,

სასურველი
B65815E1000J041
EPCOS (TDK)

B65815E1000J041

ნაწილი საფონდო: 16121

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 1µH, ტოლერანტობა: ±5%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 12,

სასურველი
B65943A0000X022
EPCOS (TDK)

B65943A0000X022

ნაწილი საფონდო: 6379

ბირთვის ტიპი: PS, უფსკრული: N22, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 47.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): PS 47 x 14.9,

სასურველი
B65887E0000R041
EPCOS (TDK)

B65887E0000R041

ნაწილი საფონდო: 10241

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 6.8µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 14,

სასურველი
B66397G1000X187
EPCOS (TDK)

B66397G1000X187

ნაწილი საფონდო: 20758

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 59 x 31 x 22,

სასურველი
B66335G1500X127
EPCOS (TDK)

B66335G1500X127

ნაწილი საფონდო: 34625

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 55 x 28 x 21,

სასურველი
B66295G0000X197
EPCOS (TDK)

B66295G0000X197

ნაწილი საფონდო: 6348

ბირთვის ტიპი: ELP, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): ELP 64 x 10 x50,

სასურველი
B65881A0000R049
EPCOS (TDK)

B65881A0000R049

ნაწილი საფონდო: 18298

ბირთვის ტიპი: PQ, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 3.3µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N49, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 35 x 35,

სასურველი
B66293G0000X187
EPCOS (TDK)

B66293G0000X187

ნაწილი საფონდო: 11281

ბირთვის ტიპი: ELP, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): ELP 58 x 11 x 38,

სასურველი