ფიქსირებული ინდუქტორები

HCM1A1104-R45-R

HCM1A1104-R45-R

ნაწილი საფონდო: 50678

მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 450nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 25A, მიმდინარე - სატურაცია: 32A,

სასურველი
HCM1A1104-470-R

HCM1A1104-470-R

ნაწილი საფონდო: 50760

მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,

სასურველი
DRA127-221-R

DRA127-221-R

ნაწილი საფონდო: 50132

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.253A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.35A,

სასურველი
CTX01-19076-R

CTX01-19076-R

ნაწილი საფონდო: 198

ინდუქცია: 33µH,

სასურველი
MP2A-R68-R

MP2A-R68-R

ნაწილი საფონდო: 48863

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Molybdenum Permalloy(MPP), ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.31A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.83A,

სასურველი
CTX01-17342

CTX01-17342

ნაწილი საფონდო: 199

ინდუქცია: 35µH, მიმდინარე რეიტინგი: 7A,

სასურველი
DRA124-820-R

DRA124-820-R

ნაწილი საფონდო: 51429

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.285A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.232A,

სასურველი
UP5S-151-R

UP5S-151-R

ნაწილი საფონდო: 48061

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
HCM1A1104-R36-R

HCM1A1104-R36-R

ნაწილი საფონდო: 50765

მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 360nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 26A, მიმდინარე - სატურაცია: 33A,

სასურველი
DRA124-2R2-R

DRA124-2R2-R

ნაწილი საფონდო: 50774

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.64A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
UP5S-101-R

UP5S-101-R

ნაწილი საფონდო: 48003

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.46A,

სასურველი
UP5S-330-R

UP5S-330-R

ნაწილი საფონდო: 48015

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.25A,

სასურველი
UP5S-681-R

UP5S-681-R

ნაწილი საფონდო: 48037

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 930mA,

სასურველი
CLH0904-2-50TR-R

CLH0904-2-50TR-R

ნაწილი საფონდო: 148

ინდუქცია: 320nH,

სასურველი
DRA125-100-R

DRA125-100-R

ნაწილი საფონდო: 49303

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.57A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.22A,

სასურველი
MP2A-1R5-R

MP2A-1R5-R

ნაწილი საფონდო: 48178

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Molybdenum Permalloy(MPP), ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.02A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.22A,

სასურველი
DRA124-1R0-R

DRA124-1R0-R

ნაწილი საფონდო: 49976

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.65A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
FPD1110V2-R300-R

FPD1110V2-R300-R

ნაწილი საფონდო: 171

სასურველი
HCP0805-R68-R

HCP0805-R68-R

ნაწილი საფონდო: 51792

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 17.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 25A,

სასურველი
DRA127-681-R

DRA127-681-R

ნაწილი საფონდო: 62645

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 736mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.33A,

სასურველი
UP5S-471-R

UP5S-471-R

ნაწილი საფონდო: 48028

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.11A,

სასურველი
DRA74-8R2-R

DRA74-8R2-R

ნაწილი საფონდო: 52061

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.66A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.17A,

სასურველი
UP5S-150-R

UP5S-150-R

ნაწილი საფონდო: 48014

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.4A,

სასურველი
DRA127-1R0-R

DRA127-1R0-R

ნაწილი საფონდო: 52636

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 19.22A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
UP5S-680-R

UP5S-680-R

ნაწილი საფონდო: 48012

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.01A,

სასურველი
HCM1A1104-2R2-R

HCM1A1104-2R2-R

ნაწილი საფონდო: 50700

მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
HCP0805-2R2-R

HCP0805-2R2-R

ნაწილი საფონდო: 52110

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
DRA127-680-R

DRA127-680-R

ნაწილი საფონდო: 51528

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.333A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.18A,

სასურველი
HCM1A1104-6R8-R

HCM1A1104-6R8-R

ნაწილი საფონდო: 50683

მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,

სასურველი
HCM1A1104-101-R

HCM1A1104-101-R

ნაწილი საფონდო: 50711

მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
HCP0805-1R0-R

HCP0805-1R0-R

ნაწილი საფონდო: 52677

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 14.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
DC12G-02-R

DC12G-02-R

ნაწილი საფონდო: 172

ინდუქცია: 210nH,

სასურველი
DRA74-820-R

DRA74-820-R

ნაწილი საფონდო: 61090

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 879mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.034A,

სასურველი
DRA124-150-R

DRA124-150-R

ნაწილი საფონდო: 59858

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.31A,

სასურველი
CTX01-19262-R

CTX01-19262-R

ნაწილი საფონდო: 169

სასურველი
FP1308-R11-R

FP1308-R11-R

ნაწილი საფონდო: 56649

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 110nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 68A, მიმდინარე - სატურაცია: 120A,

სასურველი