ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 40

ZTX1056ASTOB

ნაწილი საფონდო: 5867

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX949STOA

ნაწილი საფონდო: 6660

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 320mV @ 300mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX948STOB

ნაწილი საფონდო: 5873

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 310mV @ 300mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX651STOB

ნაწილი საფონდო: 5874

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO),

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX605STOB

ნაწილი საფონდო: 5912

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX1051ASTOB

ნაწილი საფონდო: 5813

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX458STOB

ნაწილი საფონდო: 6590

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX792ASTOA

ნაწილი საფონდო: 5830

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

FCX596TA

ნაწილი საფონდო: 152457

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX651

ნაწილი საფონდო: 77147

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO),

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX560STOB

ნაწილი საფონდო: 5840

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 500V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX757STOA

ნაწილი საფონდო: 5908

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX649STOB

ნაწილი საფონდო: 5848

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXT11N15DFTC

ნაწილი საფონდო: 5891

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 150mV @ 150mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

FZT792ATC

ნაწილი საფონდო: 5691

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX457STOA

ნაწილი საფონდო: 5832

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX1053ASTOB

ნაწილი საფონდო: 6601

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 75V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX694BSTOA

ნაწილი საფონდო: 5905

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX788BSTOB

ნაწილი საფონდო: 5918

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX857STOB

ნაწილი საფონდო: 5857

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX857STOA

ნაწილი საფონდო: 5834

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX958STOB

ნაწილი საფონდო: 5863

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX558STOB

ნაწილი საფონდო: 5872

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX851

ნაწილი საფონდო: 64823

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXT11N20DFTC

ნაწილი საფონდო: 5921

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

FZT968TC

ნაწილი საფონდო: 5824

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX696BSTOA

ნაწილი საფონდო: 5822

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 180V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

FZT857TC

ნაწილი საფონდო: 6593

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 345mV @ 600mA, 3.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX1047ASTZ

ნაწილი საფონდო: 5899

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 10V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 190mV @ 20mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX601

ნაწილი საფონდო: 77135

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZUMT717TC

ნაწილი საფონდო: 5859

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.25A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX551STOB

ნაწილი საფონდო: 5839

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX451STOA

ნაწილი საფონდო: 5864

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX758STOB

ნაწილი საფონდო: 5908

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX851STOA

ნაწილი საფონდო: 5927

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZTX451STOB

ნაწილი საფონდო: 5861

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

სასურველი