Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
DSS5220TQ-13
Diodes Incorporated

DSS5220TQ-13

ნაწილი საფონდო: 121332

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 225 @ 100mA, 2V,

სასურველი
FCX1149ATA
Diodes Incorporated

FCX1149ATA

ნაწილი საფონდო: 118711

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 140mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

სასურველი
DSS5320T-7
Diodes Incorporated

DSS5320T-7

ნაწილი საფონდო: 178654

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

სასურველი
ZTX653STZ
Diodes Incorporated

ZTX653STZ

ნაწილი საფონდო: 199700

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO),

სასურველი
ZTX415STZ
Diodes Incorporated

ZTX415STZ

ნაწილი საფონდო: 10237

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Avalanche Mode, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V,

სასურველი
DCP55-16-13
Diodes Incorporated

DCP55-16-13

ნაწილი საფონდო: 158337

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

სასურველი
ZXTPS720MCTA
Diodes Incorporated

ZXTPS720MCTA

ნაწილი საფონდო: 121107

ტრანზისტორის ტიპი: PNP + Diode (Isolated), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 25nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V,

სასურველი
ZXTN25020DGTA
Diodes Incorporated

ZXTN25020DGTA

ნაწილი საფონდო: 193527

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 290mV @ 700mA, 7A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
ZX5T949GTA
Diodes Incorporated

ZX5T949GTA

ნაწილი საფონდო: 164387

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 210mV @ 500mA, 5.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
ZXTN25060BZQTA
Diodes Incorporated

ZXTN25060BZQTA

ნაწილი საფონდო: 121083

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 305mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V,

სასურველი
ZXTN4002ZTA
Diodes Incorporated

ZXTN4002ZTA

ნაწილი საფონდო: 131095

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV,

სასურველი
FMMT551TA
Diodes Incorporated

FMMT551TA

ნაწილი საფონდო: 182806

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

სასურველი
ZXTP25040DZTA
Diodes Incorporated

ZXTP25040DZTA

ნაწილი საფონდო: 181391

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 350mA, 3.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
ZTX753STZ
Diodes Incorporated

ZTX753STZ

ნაწილი საფონდო: 199618

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO),

სასურველი
ZXTN25040DZTA
Diodes Incorporated

ZXTN25040DZTA

ნაწილი საფონდო: 113252

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 260mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
DMJT9435-13
Diodes Incorporated

DMJT9435-13

ნაწილი საფონდო: 245

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

სასურველი
DVRN6056-7-F
Diodes Incorporated

DVRN6056-7-F

ნაწილი საფონდო: 153390

ტრანზისტორის ტიპი: NPN + Zener Diode (Isolated), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სასურველი
DCP55-13
Diodes Incorporated

DCP55-13

ნაწილი საფონდო: 122087

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
ZXTN19100CGTA
Diodes Incorporated

ZXTN19100CGTA

ნაწილი საფონდო: 193562

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
ZXTP19060CZTA
Diodes Incorporated

ZXTP19060CZTA

ნაწილი საფონდო: 175167

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 410mV @ 450mA, 4.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
FZT653TA
Diodes Incorporated

FZT653TA

ნაწილი საფონდო: 140275

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

სასურველი
ZXTP2012ASTZ
Diodes Incorporated

ZXTP2012ASTZ

ნაწილი საფონდო: 180

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
ZTX455STZ
Diodes Incorporated

ZTX455STZ

ნაწილი საფონდო: 100355

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
FZT849TA
Diodes Incorporated

FZT849TA

ნაწილი საფონდო: 158535

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
ZTX549
Diodes Incorporated

ZTX549

ნაწილი საფონდო: 110985

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

სასურველი
ZXTP25020DFLTA
Diodes Incorporated

ZXTP25020DFLTA

ნაწილი საფონდო: 141842

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
ZXTN4004ZQTA
Diodes Incorporated

ZXTN4004ZQTA

ნაწილი საფონდო: 186926

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV,

სასურველი
ZTX451
Diodes Incorporated

ZTX451

ნაწილი საფონდო: 110979

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

სასურველი
FMMT593TC
Diodes Incorporated

FMMT593TC

ნაწილი საფონდო: 108387

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

სასურველი
DXT2010P5-13
Diodes Incorporated

DXT2010P5-13

ნაწილი საფონდო: 199977

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

სასურველი
DNLS160-7
Diodes Incorporated

DNLS160-7

ნაწილი საფონდო: 158188

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

სასურველი
ZTX614STZ
Diodes Incorporated

ZTX614STZ

ნაწილი საფონდო: 154549

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V,

სასურველი
ZXTN19060CFFTA
Diodes Incorporated

ZXTN19060CFFTA

ნაწილი საფონდო: 133027

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
DZTA92-13
Diodes Incorporated

DZTA92-13

ნაწილი საფონდო: 100342

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 250nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

სასურველი
FZT753TA
Diodes Incorporated

FZT753TA

ნაწილი საფონდო: 188309

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

სასურველი
DPBT8105-7
Diodes Incorporated

DPBT8105-7

ნაწილი საფონდო: 196148

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

სასურველი