Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
DMP2066LSN-7
Diodes Incorporated

DMP2066LSN-7

ნაწილი საფონდო: 101748

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

სასურველი
DMN3023L-7
Diodes Incorporated

DMN3023L-7

ნაწილი საფონდო: 168891

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 10V,

სასურველი
DMG3414U-7
Diodes Incorporated

DMG3414U-7

ნაწილი საფონდო: 198770

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

სასურველი
DMN3730UFB4-7
Diodes Incorporated

DMN3730UFB4-7

ნაწილი საფონდო: 189887

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

სასურველი
ZXMN3A14FTA
Diodes Incorporated

ZXMN3A14FTA

ნაწილი საფონდო: 121912

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.2A, 10V,

სასურველი
ZXM61P02FTA
Diodes Incorporated

ZXM61P02FTA

ნაწილი საფონდო: 155512

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.7V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V,

სასურველი
DMP4047LFDE-7
Diodes Incorporated

DMP4047LFDE-7

ნაწილი საფონდო: 144880

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.4A, 10V,

სასურველი
DMP510DL-7
Diodes Incorporated

DMP510DL-7

ნაწილი საფონდო: 157287

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

სასურველი
ZXMP7A17KTC
Diodes Incorporated

ZXMP7A17KTC

ნაწილი საფონდო: 199674

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 70V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 10V,

სასურველი
DMN3033LSN-7
Diodes Incorporated

DMN3033LSN-7

ნაწილი საფონდო: 105580

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V,

სასურველი
DMN53D0U-7
Diodes Incorporated

DMN53D0U-7

ნაწილი საფონდო: 141394

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

სასურველი
DMG8N65SCT
Diodes Incorporated

DMG8N65SCT

ნაწილი საფონდო: 57649

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 4A, 10V,

სასურველი
DMT6016LFDF-7
Diodes Incorporated

DMT6016LFDF-7

ნაწილი საფონდო: 171857

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

სასურველი
ZXM61P03FTA
Diodes Incorporated

ZXM61P03FTA

ნაწილი საფონდო: 112715

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 10V,

სასურველი
DMN24H3D5L-7
Diodes Incorporated

DMN24H3D5L-7

ნაწილი საფონდო: 119103

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 480mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3.3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 300mA, 10V,

სასურველი
DMG7N65SCTI
Diodes Incorporated

DMG7N65SCTI

ნაწილი საფონდო: 69223

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

სასურველი
ZVP4525ZTA
Diodes Incorporated

ZVP4525ZTA

ნაწილი საფონდო: 180913

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 205mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი
ZXMN6A08E6TA
Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TA

ნაწილი საფონდო: 156110

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

სასურველი
DMN2004TK-7
Diodes Incorporated

DMN2004TK-7

ნაწილი საფონდო: 163787

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 540mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V,

სასურველი
DMN4020LFDE-7
Diodes Incorporated

DMN4020LFDE-7

ნაწილი საფონდო: 125500

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

სასურველი
DMN6068SE-13
Diodes Incorporated

DMN6068SE-13

ნაწილი საფონდო: 182406

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 12A, 10V,

სასურველი
DMP2123L-7
Diodes Incorporated

DMP2123L-7

ნაწილი საფონდო: 172851

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

სასურველი
DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated

DMN53D0LQ-7

ნაწილი საფონდო: 114596

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი
DMP2004K-7
Diodes Incorporated

DMP2004K-7

ნაწილი საფონდო: 169057

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V,

სასურველი
DMN80H2D0SCTI
Diodes Incorporated

DMN80H2D0SCTI

ნაწილი საფონდო: 52836

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 800V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.5A, 10V,

სასურველი
MMBF170-7-F
Diodes Incorporated

MMBF170-7-F

ნაწილი საფონდო: 155222

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი
DMP32D4S-13
Diodes Incorporated

DMP32D4S-13

ნაწილი საფონდო: 116642

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 300mA, 10V,

სასურველი
DMG7N65SJ3
Diodes Incorporated

DMG7N65SJ3

ნაწილი საფონდო: 80955

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

სასურველი
DMN63D8LW-7
Diodes Incorporated

DMN63D8LW-7

ნაწილი საფონდო: 157543

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V,

სასურველი
DMN32D2LFB4-7
Diodes Incorporated

DMN32D2LFB4-7

ნაწილი საფონდო: 115469

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V,

სასურველი
DMG7N65SCT
Diodes Incorporated

DMG7N65SCT

ნაწილი საფონდო: 66805

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

სასურველი
DMN2046U-7
Diodes Incorporated

DMN2046U-7

ნაწილი საფონდო: 154187

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

სასურველი
DMN3150LW-7
Diodes Incorporated

DMN3150LW-7

ნაწილი საფონდო: 130756

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 28V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

სასურველი
DMN3042L-7
Diodes Incorporated

DMN3042L-7

ნაწილი საფონდო: 141341

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 5.8A, 10V,

სასურველი
ZXMN2B01FTA
Diodes Incorporated

ZXMN2B01FTA

ნაწილი საფონდო: 191397

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

სასურველი
VN10LFTA
Diodes Incorporated

VN10LFTA

ნაწილი საფონდო: 175520

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი