ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 40

ZVN2120ASTOB

ნაწილი საფონდო: 9780

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOA

ნაწილი საფონდო: 5991

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP1320A

ნაწილი საფონდო: 9856

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN3306FTC

ნაწილი საფონდო: 9843

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTZ

ნაწილი საფონდო: 9873

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

ნაწილი საფონდო: 9849

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOB

ნაწილი საფონდო: 9836

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOB

ნაწილი საფონდო: 9826

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOB

ნაწილი საფონდო: 6076

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN4525GTC

ნაწილი საფონდო: 9875

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTZ

ნაწილი საფონდო: 9822

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP4424GTC

ნაწილი საფონდო: 9832

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 480mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOB

ნაწილი საფონდო: 6070

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP3306ASTZ

ნაწილი საფონდო: 9812

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXMN2A02X8TC

ნაწილი საფონდო: 5985

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 4.5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

VN10LFTC

ნაწილი საფონდო: 9787

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOA

ნაწილი საფონდო: 5987

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 140mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

ნაწილი საფონდო: 9889

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXM64N03XTC

ნაწილი საფონდო: 9824

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOB

ნაწილი საფონდო: 9843

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOA

ნაწილი საფონდო: 9836

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN2535ASTZ

ნაწილი საფონდო: 9837

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 350V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOB

ნაწილი საფონდო: 9821

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN3310A

ნაწილი საფონდო: 85236

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOA

ნაწილი საფონდო: 9838

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOA

ნაწილი საფონდო: 9816

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 450V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 45mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTZ

ნაწილი საფონდო: 9830

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 140mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TC

ნაწილი საფონდო: 6016

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOA

ნაწილი საფონდო: 9856

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOB

ნაწილი საფონდო: 6003

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN2110GTC

ნაწილი საფონდო: 9873

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOA

ნაწილი საფონდო: 9841

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 450V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

ნაწილი საფონდო: 9861

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZXMN2A01FTC

ნაწილი საფონდო: 9864

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOB

ნაწილი საფონდო: 9833

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

სასურველი

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTZ

ნაწილი საფონდო: 5997

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

სასურველი