რეზისტორული ქსელები, მასივები

752105281AP

752105281AP

ნაწილი საფონდო: 44065

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 470, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
752095121AP

752095121AP

ნაწილი საფონდო: 44063

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 14,

სასურველი
752125500AP

752125500AP

ნაწილი საფონდო: 44098

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 81, 130, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 20,

სასურველი
752085500AP

752085500AP

ნაწილი საფონდო: 44063

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 81, 130, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
752085191AP

752085191AP

ნაწილი საფონდო: 44070

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
752095171BP

752095171BP

ნაწილი საფონდო: 44103

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 14,

სასურველი
752125182AP

752125182AP

ნაწილი საფონდო: 44046

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 20,

სასურველი
752105121AP

752105121AP

ნაწილი საფონდო: 44060

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
752105201AP

752105201AP

ნაწილი საფონდო: 44061

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 1.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
753163102GPTR7

753163102GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45675

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753163101GPTR7

753163101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45649

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753163470GPTR7

753163470GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45668

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753083560GPTR7

753083560GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45648

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
753123330GPTR7

753123330GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45660

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
753103101GPTR7

753103101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45626

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
753083330GPTR7

753083330GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45671

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
753083104GPTR7

753083104GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45615

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
753163103GPTR7

753163103GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45640

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753243201GPTR7

753243201GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45613

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
753163220GPTR7

753163220GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45653

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753163390GPTR7

753163390GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45632

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753243101GPTR7

753243101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45663

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
753163182GPTR7

753163182GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45624

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753163471GPTR7

753163471GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45659

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753243510GPTR7

753243510GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45604

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
753243220GPTR7

753243220GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45598

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
753163472GPTR7

753163472GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45680

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753123101GPTR7

753123101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45598

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
753083101GPTR7

753083101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 45659

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752125191AP

752125191AP

ნაწილი საფონდო: 44905

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 20,

სასურველი
752241104GP

752241104GP

ნაწილი საფონდო: 46565

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 22,

სასურველი
752161123GP

752161123GP

ნაწილი საფონდო: 46551

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 14,

სასურველი
752091101GP

752091101GP

ნაწილი საფონდო: 46540

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752101471GP

752101471GP

ნაწილი საფონდო: 46525

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
752091333JP

752091333JP

ნაწილი საფონდო: 46522

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752161102GP

752161102GP

ნაწილი საფონდო: 46522

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 14,

სასურველი