კრისტალები

416F32012CLT

416F32012CLT

ნაწილი საფონდო: 8633

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012CLT

416F24012CLT

ნაწილი საფონდო: 8641

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012CST

416F24012CST

ნაწილი საფონდო: 215

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F32011AAT

416F32011AAT

ნაწილი საფონდო: 8688

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F32011CST

416F32011CST

ნაწილი საფონდო: 8718

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F300XXCST

416F300XXCST

ნაწილი საფონდო: 8644

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012CKT

416F24012CKT

ნაწილი საფონდო: 8648

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F300X3ITT

416F300X3ITT

ნაწილი საფონდო: 8686

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012CAT

416F24012CAT

ნაწილი საფონდო: 8714

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F300X3ILT

416F300X3ILT

ნაწილი საფონდო: 1879

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F300X3IKT

416F300X3IKT

ნაწილი საფონდო: 8691

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012CDT

416F24012CDT

ნაწილი საფონდო: 8672

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012ATT

416F24012ATT

ნაწილი საფონდო: 8699

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012AST

416F24012AST

ნაწილი საფონდო: 8711

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012ALT

416F24012ALT

ნაწილი საფონდო: 8691

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012AKT

416F24012AKT

ნაწილი საფონდო: 8713

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24012AAT

416F24012AAT

ნაწილი საფონდო: 1927

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30033CLT

416F30033CLT

ნაწილი საფონდო: 8635

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30025ALT

416F30025ALT

ნაწილი საფონდო: 8631

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011CLT

416F24011CLT

ნაწილი საფონდო: 8626

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30023CDT

416F30023CDT

ნაწილი საფონდო: 8668

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30023IDT

416F30023IDT

ნაწილი საფონდო: 8628

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30025AAT

416F30025AAT

ნაწილი საფონდო: 8668

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011CKT

416F24011CKT

ნაწილი საფონდო: 8689

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011CDT

416F24011CDT

ნაწილი საფონდო: 8681

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F3001XCKT

416F3001XCKT

ნაწილი საფონდო: 8693

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30013IAT

416F30013IAT

ნაწილი საფონდო: 8650

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011AST

416F24011AST

ნაწილი საფონდო: 8621

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F3001XCAT

416F3001XCAT

ნაწილი საფონდო: 8678

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30012ITT

416F30012ITT

ნაწილი საფონდო: 8664

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30013AST

416F30013AST

ნაწილი საფონდო: 8690

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011ALT

416F24011ALT

ნაწილი საფონდო: 8703

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011AKT

416F24011AKT

ნაწილი საფონდო: 8647

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F30012ALT

416F30012ALT

ნაწილი საფონდო: 8676

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011AAT

416F24011AAT

ნაწილი საფონდო: 8672

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
416F24011ADT

416F24011ADT

ნაწილი საფონდო: 8626

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი