კრისტალები

416F5201XATT

416F5201XATT

ნაწილი საფონდო: 2030

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F5201XAST

416F5201XAST

ნაწილი საფონდო: 112

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F5201XALT

416F5201XALT

ნაწილი საფონდო: 2072

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F5201XAKT

416F5201XAKT

ნაწილი საფონდო: 106

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F5201XADT

416F5201XADT

ნაწილი საფონდო: 131

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F5201XAAT

416F5201XAAT

ნაწილი საფონდო: 175

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013ITT

416F52013ITT

ნაწილი საფონდო: 132

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013IST

416F52013IST

ნაწილი საფონდო: 124

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013IKT

416F52013IKT

ნაწილი საფონდო: 175

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013CST

416F52013CST

ნაწილი საფონდო: 88

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013CTT

416F52013CTT

ნაწილი საფონდო: 92

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013CLT

416F52013CLT

ნაწილი საფონდო: 95

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013CKT

416F52013CKT

ნაწილი საფონდო: 135

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013CAT

416F52013CAT

ნაწილი საფონდო: 128

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013ATT

416F52013ATT

ნაწილი საფონდო: 122

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013AST

416F52013AST

ნაწილი საფონდო: 91

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013ALT

416F52013ALT

ნაწილი საფონდო: 137

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013AKT

416F52013AKT

ნაწილი საფონდო: 103

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013ADT

416F52013ADT

ნაწილი საფონდო: 168

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52013AAT

416F52013AAT

ნაწილი საფონდო: 156

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012ITT

416F52012ITT

ნაწილი საფონდო: 131

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012ILT

416F52012ILT

ნაწილი საფონდო: 116

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012IDT

416F52012IDT

ნაწილი საფონდო: 169

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012IAT

416F52012IAT

ნაწილი საფონდო: 137

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012CTT

416F52012CTT

ნაწილი საფონდო: 134

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012CST

416F52012CST

ნაწილი საფონდო: 129

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012CLT

416F52012CLT

ნაწილი საფონდო: 112

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012CKT

416F52012CKT

ნაწილი საფონდო: 160

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012CDT

416F52012CDT

ნაწილი საფონდო: 102

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012CAT

416F52012CAT

ნაწილი საფონდო: 86

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012ATT

416F52012ATT

ნაწილი საფონდო: 2067

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012AST

416F52012AST

ნაწილი საფონდო: 105

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012ALT

416F52012ALT

ნაწილი საფონდო: 83

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012ADT

416F52012ADT

ნაწილი საფონდო: 106

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52012AAT

416F52012AAT

ნაწილი საფონდო: 96

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
416F52011CTT

416F52011CTT

ნაწილი საფონდო: 158

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი