ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

73L2R47G

73L2R47G

ნაწილი საფონდო: 102629

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R20J

73L2R20J

ნაწილი საფონდო: 129224

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R47J

73L2R47J

ნაწილი საფონდო: 108016

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R56J

73L2R56J

ნაწილი საფონდო: 105331

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R39J

73L2R39J

ნაწილი საფონდო: 177382

წინააღმდეგობა: 390 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R82J

73L2R82J

ნაწილი საფონდო: 195859

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R62J

73L2R62J

ნაწილი საფონდო: 150851

წინააღმდეგობა: 620 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R33J

73L2R33J

ნაწილი საფონდო: 193290

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R51J

73L2R51J

ნაწილი საფონდო: 158930

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R68J

73L2R68J

ნაწილი საფონდო: 189273

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R75J

73L2R75J

ნაწილი საფონდო: 175856

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R36J

73L2R36J

ნაწილი საფონდო: 123242

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R30J

73L2R30J

ნაწილი საფონდო: 190823

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R43J

73L2R43J

ნაწილი საფონდო: 126823

წინააღმდეგობა: 430 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R91J

73L2R91J

ნაწილი საფონდო: 141513

წინააღმდეგობა: 910 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R27J

73L2R27J

ნაწილი საფონდო: 151727

წინააღმდეგობა: 270 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R24J

73L2R24J

ნაწილი საფონდო: 137828

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
73L2R22J

73L2R22J

ნაწილი საფონდო: 142621

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი