ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

NE5531079A-A

NE5531079A-A

ნაწილი საფონდო: 4643

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 460MHz, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,

სასურველი
NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

ნაწილი საფონდო: 6159

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, 1A,

სასურველი
NE5550279A-A

NE5550279A-A

ნაწილი საფონდო: 6254

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 900MHz, მოგება: 22.5dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
CE3512K2-C1

CE3512K2-C1

ნაწილი საფონდო: 178804

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 13.7dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA, ხმაურის ფიგურა: 0.5dB,

სასურველი
NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

ნაწილი საფონდო: 6074

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 2GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, ხმაურის ფიგურა: 0.45dB,

სასურველი
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

ნაწილი საფონდო: 6232

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 2GHz, მოგება: 17.5dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA, ხმაურის ფიგურა: 0.4dB,

სასურველი
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

ნაწილი საფონდო: 6183

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 20GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, ხმაურის ფიგურა: 0.65dB,

სასურველი
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

ნაწილი საფონდო: 6248

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel GaAs HJ-FET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA, ხმაურის ფიგურა: 0.65dB,

სასურველი
NE3503M04-A

NE3503M04-A

ნაწილი საფონდო: 6122

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 12dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, ხმაურის ფიგურა: 0.45dB,

სასურველი
NE3510M04-A

NE3510M04-A

ნაწილი საფონდო: 6118

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 4GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 97mA, ხმაურის ფიგურა: 0.45dB,

სასურველი
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

ნაწილი საფონდო: 6279

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel GaAs HJ-FET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA, ხმაურის ფიგურა: 0.65dB,

სასურველი
NE34018-T1

NE34018-T1

ნაწილი საფონდო: 6106

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 2GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, ხმაურის ფიგურა: 0.6dB,

სასურველი
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

ნაწილი საფონდო: 6194

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, ხმაურის ფიგურა: 0.3dB,

სასურველი
NE4210S01-T1B

NE4210S01-T1B

ნაწილი საფონდო: 6275

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA, ხმაურის ფიგურა: 0.5dB,

სასურველი
NE5550979A-A

NE5550979A-A

ნაწილი საფონდო: 6262

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 900MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,

სასურველი
NE5550979A-T1-A

NE5550979A-T1-A

ნაწილი საფონდო: 6274

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 900MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,

სასურველი
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

ნაწილი საფონდო: 6248

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel GaAs HJ-FET, სიხშირე: 20GHz, მოგება: 11dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, ხმაურის ფიგურა: 0.85dB,

სასურველი
NE3210S01-T1B

NE3210S01-T1B

ნაწილი საფონდო: 6262

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA, ხმაურის ფიგურა: 0.35dB,

სასურველი
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

ნაწილი საფონდო: 6217

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 12.5dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 88mA, ხმაურის ფიგურა: 0.3dB,

სასურველი
NE3514S02-A

NE3514S02-A

ნაწილი საფონდო: 6171

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 20GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, ხმაურის ფიგურა: 0.75dB,

სასურველი
NE3513M04-A

NE3513M04-A

ნაწილი საფონდო: 6253

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel GaAs HJ-FET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA, ხმაურის ფიგურა: 0.65dB,

სასურველი
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

ნაწილი საფონდო: 6266

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 12GHz, მოგება: 12.5dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 88mA, ხმაურის ფიგურა: 0.3dB,

სასურველი
NE34018-T1-A

NE34018-T1-A

ნაწილი საფონდო: 6108

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 2GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, ხმაურის ფიგურა: 0.6dB,

სასურველი
NE5511279A-T1-A

NE5511279A-T1-A

ნაწილი საფონდო: 6257

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 900MHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,

სასურველი
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

ნაწილი საფონდო: 6133

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 20GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, ხმაურის ფიგურა: 0.75dB,

სასურველი
NE350184C

NE350184C

ნაწილი საფონდო: 6165

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 20GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, ხმაურის ფიგურა: 0.7dB,

სასურველი
NE25139-T1-U73

NE25139-T1-U73

ნაწილი საფონდო: 6048

ტრანზისტორის ტიპი: MESFET Dual Gate, სიხშირე: 900MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 5V, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA, ხმაურის ფიგურა: 1.1dB,

სასურველი
NE3508M04-A

NE3508M04-A

ნაწილი საფონდო: 6078

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 2GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, ხმაურის ფიგურა: 0.45dB,

სასურველი
NE5520379A-T1A-A

NE5520379A-T1A-A

ნაწილი საფონდო: 4629

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 915MHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 3.2V, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
NE5550234-T1-AZ

NE5550234-T1-AZ

ნაწილი საფონდო: 6058

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 900MHz, მოგება: 23.5dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
NE5550779A-A

NE5550779A-A

ნაწილი საფონდო: 6196

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 900MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,

სასურველი
NE6510179A-T1-A

NE6510179A-T1-A

ნაწილი საფონდო: 6163

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 1.9GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 3.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,

სასურველი
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

ნაწილი საფონდო: 6269

ტრანზისტორის ტიპი: HFET, სიხშირე: 4GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 2V, მიმდინარე რეიტინგი: 97mA, ხმაურის ფიგურა: 0.45dB,

სასურველი
NE55410GR-AZ

NE55410GR-AZ

ნაწილი საფონდო: 6169

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, 1A,

სასურველი