პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.65V ~ 1.95V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 5.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 4, მაკროცელების რაოდენობა: 128, კარიბჭეების რაოდენობა: 6000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 256, კარიბჭეების რაოდენობა: 12000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.65V ~ 1.95V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.7V ~ 1.9V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 16, მაკროცელების რაოდენობა: 256,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.3V ~ 2.7V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 12, მაკროცელების რაოდენობა: 384, კარიბჭეების რაოდენობა: 18000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 32, კარიბჭეების რაოდენობა: 1000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 32, კარიბჭეების რაოდენობა: 1000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 24.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 48, მაკროცელების რაოდენობა: 192, კარიბჭეების რაოდენობა: 8000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 5.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.65V ~ 1.95V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 24, მაკროცელების რაოდენობა: 384,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 5.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.3V ~ 2.7V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 4, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 5.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.65V ~ 1.95V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 4, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 18.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 48, მაკროცელების რაოდენობა: 192, კარიბჭეების რაოდენობა: 8000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 256,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: EE PLD, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 10,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.2ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 48000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 32,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 256,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 256,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 6.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 20.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 6, მაკროცელების რაოდენობა: 108, კარიბჭეების რაოდენობა: 2400,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 144, კარიბჭეების რაოდენობა: 3200,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.37V ~ 2.62V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 16, მაკროცელების რაოდენობა: 288, კარიბჭეების რაოდენობა: 6400,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 2, მაკროცელების რაოდენობა: 36, კარიბჭეების რაოდენობა: 800,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 144, კარიბჭეების რაოდენობა: 3200,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 5.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.37V ~ 2.62V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 4, მაკროცელების რაოდენობა: 72, კარიბჭეების რაოდენობა: 1600,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 4, მაკროცელების რაოდენობა: 72, კარიბჭეების რაოდენობა: 1600,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 128, კარიბჭეების რაოდენობა: 2500,
