მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 57mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 36mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 79mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 33mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 38mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 79mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 32mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 28mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 775mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA,
მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.5mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 5mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 500µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 50µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 28.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 80A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 15.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 12.4A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
