ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 35V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 6V, 9.6V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 35V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10.8V ~ 13.2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 6V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 5.25V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 11.5V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 60V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 11V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7.2V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 14.6V ~ 16.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 12V ~ 26V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 4.2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 16V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 12.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5.5V ~ 55V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.3V ~ 6.8V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 35V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 40V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
