PMIC - კარიბჭის დრაივერები

2SP0320T2B0-12

ნაწილი საფონდო: 529

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2A0-12

ნაწილი საფონდო: 533

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2C0-12

ნაწილი საფონდო: 476

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2A0-17

ნაწილი საფონდო: 464

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2C0-17

ნაწილი საფონდო: 496

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SD300C17A2

ნაწილი საფონდო: 668

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14V ~ 16V,

2SD300C17A3

ნაწილი საფონდო: 610

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14V ~ 16V,

2SD300C17A4

ნაწილი საფონდო: 155

2SD315AI UL

ნაწილი საფონდო: 660

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 15V,

2SD315AI

ნაწილი საფონდო: 124

2SD106AI-17 UL

ნაწილი საფონდო: 731

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 15V,

2SC0435T2F1-17

ნაწილი საფონდო: 805

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0435T2H0-17

ნაწილი საფონდო: 820

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0435T2G1-17

ნაწილი საფონდო: 784

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2C0-17

ნაწილი საფონდო: 777

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2C0-12

ნაწილი საფონდო: 812

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2B0-17

ნაწილი საფონდო: 840

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2C0-06

ნაწილი საფონდო: 809

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2B0-12

ნაწილი საფონდო: 815

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SD300C17A1

ნაწილი საფონდო: 147

2SP0115T2B0-06

ნაწილი საფონდო: 795

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2A0-12

ნაწილი საფონდო: 918

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2A0-06

ნაწილი საფონდო: 861

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0115T2A0-17

ნაწილი საფონდო: 849

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0108T2D0-12

ნაწილი საფონდო: 1215

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0108T2F1-17

ნაწილი საფონდო: 1468

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0108T2G0-17

ნაწილი საფონდო: 1434

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0108T2H0-17

ნაწილი საფონდო: 1473

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0115T2A0-12

ნაწილი საფონდო: 2068

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

2DM150606CM

ნაწილი საფონდო: 864

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 15V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

2DM180206CM

ნაწილი საფონდო: 848

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 15V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

2DM180506CM

ნაწილი საფონდო: 847

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 15V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

2DM150806CM

ნაწილი საფონდო: 834

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, ძაბვა - მიწოდება: 15V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

2DU180506CM

ნაწილი საფონდო: 684

2DU150806CM

ნაწილი საფონდო: 664

2DU150606CM

ნაწილი საფონდო: 681