Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

იზოლატორები - კარიბჭის დრაივერები

FOD3182SV
ON Semiconductor

FOD3182SV

ნაწილი საფონდო: 76121

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD3181T
ON Semiconductor

FOD3181T

ნაწილი საფონდო: 7855

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ
FOD3184TSD
ON Semiconductor

FOD3184TSD

ნაწილი საფონდო: 55063

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8383R2V
ON Semiconductor

FOD8383R2V

ნაწილი საფონდო: 36744

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8384R2
ON Semiconductor

FOD8384R2

ნაწილი საფონდო: 64579

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8384R2V
ON Semiconductor

FOD8384R2V

ნაწილი საფონდო: 62486

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD3181TV
ON Semiconductor

FOD3181TV

ნაწილი საფონდო: 8818

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ
FOD8384V
ON Semiconductor

FOD8384V

ნაწილი საფონდო: 68333

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD3180T
ON Semiconductor

FOD3180T

ნაწილი საფონდო: 7575

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 15kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 200ns, 200ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8383
ON Semiconductor

FOD8383

ნაწილი საფონდო: 39433

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8384
ON Semiconductor

FOD8384

ნაწილი საფონდო: 70635

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8333V
ON Semiconductor

FOD8333V

ნაწილი საფონდო: 29451

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4243Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 250ns, 250ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD8320R2V
ON Semiconductor

FOD8320R2V

ნაწილი საფონდო: 40081

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD3181
ON Semiconductor

FOD3181

ნაწილი საფონდო: 6634

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ
FOD3181SD
ON Semiconductor

FOD3181SD

ნაწილი საფონდო: 8673

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ
FOD8321
ON Semiconductor

FOD8321

ნაწილი საფონდო: 26926

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სურვილისამებრ
FOD8332V
ON Semiconductor

FOD8332V

ნაწილი საფონდო: 29469

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4243Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 250ns, 250ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD8321V
ON Semiconductor

FOD8321V

ნაწილი საფონდო: 72401

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სურვილისამებრ
FOD8383R2
ON Semiconductor

FOD8383R2

ნაწილი საფონდო: 37157

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD3150TV
ON Semiconductor

FOD3150TV

ნაწილი საფონდო: 88057

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სურვილისამებრ
FOD3150TSR2
ON Semiconductor

FOD3150TSR2

ნაწილი საფონდო: 5423

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სურვილისამებრ
FOD3120T
ON Semiconductor

FOD3120T

ნაწილი საფონდო: 5529

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD8321R2
ON Semiconductor

FOD8321R2

ნაწილი საფონდო: 68504

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სურვილისამებრ
FOD3181S
ON Semiconductor

FOD3181S

ნაწილი საფონდო: 5627

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ
FOD8383V
ON Semiconductor

FOD8383V

ნაწილი საფონდო: 39123

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD3182V
ON Semiconductor

FOD3182V

ნაწილი საფონდო: 76155

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8320V
ON Semiconductor

FOD8320V

ნაწილი საფონდო: 17774

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD3150SV
ON Semiconductor

FOD3150SV

ნაწილი საფონდო: 88095

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სურვილისამებრ
FOD3150TS
ON Semiconductor

FOD3150TS

ნაწილი საფონდო: 5425

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სურვილისამებრ
FOD3181SDV
ON Semiconductor

FOD3181SDV

ნაწილი საფონდო: 5102

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ
FOD8320
ON Semiconductor

FOD8320

ნაწილი საფონდო: 17820

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD3120TS
ON Semiconductor

FOD3120TS

ნაწილი საფონდო: 5128

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD3184TSR2
ON Semiconductor

FOD3184TSR2

ნაწილი საფონდო: 36151

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სურვილისამებრ
FOD8333
ON Semiconductor

FOD8333

ნაწილი საფონდო: 29507

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4243Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 250ns, 250ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სურვილისამებრ
FOD3181V
ON Semiconductor

FOD3181V

ნაწილი საფონდო: 4482

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ
FOD3181SV
ON Semiconductor

FOD3181SV

ნაწილი საფონდო: 8476

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 10kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns,

სურვილისამებრ