სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
