რეზისტორული ქსელები, მასივები

4304M-102-103

4304M-102-103

ნაწილი საფონდო: 116025

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-221

4306M-101-221

ნაწილი საფონდო: 107139

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-562

4306M-101-562

ნაწილი საფონდო: 127217

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-102LF

4304M-102-102LF

ნაწილი საფონდო: 174047

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-152

4306M-101-152

ნაწილი საფონდო: 198131

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-101LF

4304M-102-101LF

ნაწილი საფონდო: 103273

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-271

4306M-101-271

ნაწილი საფონდო: 163930

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4310R-104-501/501

4310R-104-501/501

ნაწილი საფონდო: 170710

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-203LF

4306M-101-203LF

ნაწილი საფონდო: 177444

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-102

4304M-102-102

ნაწილი საფონდო: 180446

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-222LF

4304M-102-222LF

ნაწილი საფონდო: 116638

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-331

4306M-102-331

ნაწილი საფონდო: 167483

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-330

4306M-102-330

ნაწილი საფონდო: 70

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-102LF

4306M-102-102LF

ნაწილი საფონდო: 177546

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-682LF

4306M-101-682LF

ნაწილი საფონდო: 196762

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-330LF

4306M-102-330LF

ნაწილი საფონდო: 138650

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4310R-104-272/472

4310R-104-272/472

ნაწილი საფონდო: 170723

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-472LF

4306M-101-472LF

ნაწილი საფონდო: 146574

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-302LF

4304M-102-302LF

ნაწილი საფონდო: 181204

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4310R-104-391/581

4310R-104-391/581

ნაწილი საფონდო: 170720

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 390, 580, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4310R-104-391/681

4310R-104-391/681

ნაწილი საფონდო: 170701

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 390, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-392LF

4306M-101-392LF

ნაწილი საფონდო: 170222

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-473

4306M-102-473

ნაწილი საფონდო: 172208

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-102

4306M-102-102

ნაწილი საფონდო: 199689

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-332

4306M-102-332

ნაწილი საფონდო: 192141

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-823LF

4306M-102-823LF

ნაწილი საფონდო: 106268

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-332LF

4306M-102-332LF

ნაწილი საფონდო: 110012

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-391LF

4306M-101-391LF

ნაწილი საფონდო: 198487

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-302

4304M-102-302

ნაწილი საფონდო: 148908

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-471LF

4304M-102-471LF

ნაწილი საფონდო: 194894

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-102-101LF

4306M-102-101LF

ნაწილი საფონდო: 117327

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4310R-104-471/681

4310R-104-471/681

ნაწილი საფონდო: 170740

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 470, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-512LF

4306M-101-512LF

ნაწილი საფონდო: 105107

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4306M-101-221LF

4306M-101-221LF

ნაწილი საფონდო: 151603

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4310R-104-161/241

4310R-104-161/241

ნაწილი საფონდო: 170714

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 160, 240, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

4304M-102-104

4304M-102-104

ნაწილი საფონდო: 186917

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,