RFID ტრანსპონდერები, წარწერები

LRI64-A1S/1GE

LRI64-A1S/1GE

ნაწილი საფონდო: 680

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 120b (User), სტანდარტები: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-TRP-RE2B-01

RI-TRP-RE2B-01

ნაწილი საფონდო: 739

სტილი: Glass Encapsulated, სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read Only, სტანდარტები: ISO 11785,

RI-TRP-DR2B-30

RI-TRP-DR2B-30

ნაწილი საფონდო: 765

სტილი: Glass Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1.36kb (User), სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

TRPWS21GTEA

TRPWS21GTEA

ნაწილი საფონდო: 11904

სიხშირე: 134.2kHz,

RI-I02-112B-03

RI-I02-112B-03

ნაწილი საფონდო: 677

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 2kb (User), სტანდარტები: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-INL-W007-40

RI-INL-W007-40

ნაწილი საფონდო: 38764

სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read Only, სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

RI-TRP-RE2B-30

RI-TRP-RE2B-30

ნაწილი საფონდო: 769

სტილი: Glass Encapsulated, სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read Only, სტანდარტები: ISO 11785,

RI-TRP-IR2B-30

RI-TRP-IR2B-30

ნაწილი საფონდო: 694

სტილი: Glass Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1.36kb (User), სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

RI-I11-114A-01

RI-I11-114A-01

ნაწილი საფონდო: 677

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 256b (User), სტანდარტები: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-I02-114B-01

RI-I02-114B-01

ნაწილი საფონდო: 157

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 256b (User), სტანდარტები: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-TRP-R9VS-30

RI-TRP-R9VS-30

ნაწილი საფონდო: 738

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read Only,

RI-TRP-W9UR

RI-TRP-W9UR

ნაწილი საფონდო: 135

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 80b (User), სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

RI-I16-0003-00

RI-I16-0003-00

ნაწილი საფონდო: 778

RI-INL-R9QM-30

RI-INL-R9QM-30

ნაწილი საფონდო: 753

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 134.2kHz, მეხსიერების ტიპი: Read Only, სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

RF-HDT-DVBB-N2

RF-HDT-DVBB-N2

ნაწილი საფონდო: 27781

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 2kb (User), სტანდარტები: ISO 15693, ISO 18000-3,

HTMS1101FTB/AF,115

HTMS1101FTB/AF,115

ნაწილი საფონდო: 91

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 100kHz ~ 150kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1.76kb (User), სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

SL3S1013FTB0,115

SL3S1013FTB0,115

ნაწილი საფონდო: 168381

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 840MHz ~ 960MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 256b (EPC), სტანდარტები: EPC,

SL2ICS2001DW/V1D,3

SL2ICS2001DW/V1D,3

ნაწილი საფონდო: 150709

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1kB (User), სტანდარტები: ISO 15693,

HTSICH5801EW/V7V

HTSICH5801EW/V7V

ნაწილი საფონდო: 759

HTMS1201FTB/AF,115

HTMS1201FTB/AF,115

ნაწილი საფონდო: 728

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 100kHz ~ 150kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1.76kb (User), სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

PCF7937EA/C1AB5901

PCF7937EA/C1AB5901

ნაწილი საფონდო: 36365

სიხშირე: 125kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write,

HT2DC20S20/F/RSP

HT2DC20S20/F/RSP

ნაწილი საფონდო: 50657

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 125kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 256b (User), სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

PCF7931AS/3851,122

PCF7931AS/3851,122

ნაწილი საფონდო: 769

HTMS8201FTK/AF,115

HTMS8201FTK/AF,115

ნაწილი საფონდო: 131205

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 100kHz ~ 150kHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1.76kb (User), სტანდარტები: ISO 11784, ISO 11785,

PCF7939VA/CABC0600

PCF7939VA/CABC0600

ნაწილი საფონდო: 23557

V680-D1KP58HT

V680-D1KP58HT

ნაწილი საფონდო: 437

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1kB (User),

V680-D1KP66MT

V680-D1KP66MT

ნაწილი საფონდო: 1956

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1kB (User),

V680S-D8KF67

V680S-D8KF67

ნაწილი საფონდო: 623

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 8.2kB (User),

V600-D8KR13

V600-D8KR13

ნაწილი საფონდო: 266

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 8kB (User),

WF-SM-ID

WF-SM-ID

ნაწილი საფონდო: 10311

LXMS31ACNA-011

LXMS31ACNA-011

ნაწილი საფონდო: 53885

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 865MHz ~ 955MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 512b (User),

DLP-RFIDTAG

DLP-RFIDTAG

ნაწილი საფონდო: 2539

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 2kb (User), სტანდარტები: ISO 15693, ISO 18000-3,

SPS1M001A-05

SPS1M001A-05

ნაწილი საფონდო: 4334

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 902MHz ~ 928MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 128b (EPC), სტანდარტები: ISO 18000-6, EPC,

SPS1M001A

SPS1M001A

ნაწილი საფონდო: 9218

სტილი: Inlay, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 902MHz ~ 928MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 128b (EPC), სტანდარტები: ISO 18000-6, EPC,

MN63Y3212N1

MN63Y3212N1

ნაწილი საფონდო: 4000

სტილი: Encapsulated, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 4kb (User), სტანდარტები: ISO 14443,

MAX66040K-000AA+

MAX66040K-000AA+

ნაწილი საფონდო: 727

სტილი: Card, ტექნოლოგია: Passive, სიხშირე: 13.56MHz, მეხსიერების ტიპი: Read/Write, დაწერილი მეხსიერება: 1kB (User), სტანდარტები: ISO 14443,