შასის მთის წინააღმდეგობები

CJT40010RJJ

CJT40010RJJ

ნაწილი საფონდო: 1265

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR10D100MK

HVR10D100MK

ნაწილი საფონდო: 1238

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

TE2000B330RJ

TE2000B330RJ

ნაწილი საფონდო: 992

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT800330RJJ

CJT800330RJJ

ნაწილი საფონდო: 1036

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT4008R2JJ

CJT4008R2JJ

ნაწილი საფონდო: 1241

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT80047RJJ

CJT80047RJJ

ნაწილი საფონდო: 1024

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE2500B560RJ

TE2500B560RJ

ნაწილი საფონდო: 869

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE2500B10RJ

TE2500B10RJ

ნაწილი საფონდო: 886

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

RER55F1R87RC02

RER55F1R87RC02

ნაწილი საფონდო: 1608

წინააღმდეგობა: 1.87 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F49R9RC02

RER55F49R9RC02

ნაწილი საფონდო: 1619

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F7R50MCSL

RER55F7R50MCSL

ნაწილი საფონდო: 1288

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F9R53PC02

RER55F9R53PC02

ნაწილი საფონდო: 1601

წინააღმდეგობა: 9.53 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R54RC02

RER55F1R54RC02

ნაწილი საფონდო: 1621

წინააღმდეგობა: 1.54 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F2R74RCSL

RER55F2R74RCSL

ნაწილი საფონდო: 1341

წინააღმდეგობა: 2.74 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F6980RCSL

RER55F6980RCSL

ნაწილი საფონდო: 1305

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F17R4RC02

RER55F17R4RC02

ნაწილი საფონდო: 1583

წინააღმდეგობა: 17.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R10PC02

RER55F1R10PC02

ნაწილი საფონდო: 1541

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F24R3RCSL

RER55F24R3RCSL

ნაწილი საფონდო: 1338

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F8R06RCSL

RER55F8R06RCSL

ნაწილი საფონდო: 1319

წინააღმდეგობა: 8.06 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F8R06RC02

RER55F8R06RC02

ნაწილი საფონდო: 1569

წინააღმდეგობა: 8.06 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F69R8RCSL

RER55F69R8RCSL

ნაწილი საფონდო: 1278

წინააღმდეგობა: 69.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F3320RCSL

RER55F3320RCSL

ნაწილი საფონდო: 1350

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F19R1RC02

RER55F19R1RC02

ნაწილი საფონდო: 1542

წინააღმდეგობა: 19.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F6R20PC02

RER55F6R20PC02

ნაწილი საფონდო: 1592

წინააღმდეგობა: 6.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F2R80RC02

RER55F2R80RC02

ნაწილი საფონდო: 1614

წინააღმდეგობა: 2.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F3010RC02

RER55F3010RC02

ნაწილი საფონდო: 1559

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F27R4RC02

RER55F27R4RC02

ნაწილი საფონდო: 1582

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1371RC02

RER55F1371RC02

ნაწილი საფონდო: 1581

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1371MCSL

RER55F1371MCSL

ნაწილი საფონდო: 1318

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F5110RCSL

RER55F5110RCSL

ნაწილი საფონდო: 1327

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

TGHPV1K00KE

TGHPV1K00KE

ნაწილი საფონდო: 142

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

TAP600K10RE

TAP600K10RE

ნაწილი საფონდო: 516

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP600K30RE

TAP600K30RE

ნაწილი საფონდო: 517

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

MOX-G-022503FE

MOX-G-022503FE

ნაწილი საფონდო: 686

წინააღმდეგობა: 250 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

LPS0800H47R0JB

LPS0800H47R0JB

ნაწილი საფონდო: 803

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

LPS0600H47R0JB

LPS0600H47R0JB

ნაწილი საფონდო: 1077

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,