შასის მთის წინააღმდეგობები

AHA50AFB-1R5

AHA50AFB-1R5

ნაწილი საფონდო: 13905

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA25AFB-12R

AHA25AFB-12R

ნაწილი საფონდო: 16054

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA25AFB-50R

AHA25AFB-50R

ნაწილი საფონდო: 15991

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA25AFB-5R

AHA25AFB-5R

ნაწილი საფონდო: 16071

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA25AFB-15R

AHA25AFB-15R

ნაწილი საფონდო: 16065

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA25AFB-10R

AHA25AFB-10R

ნაწილი საფონდო: 16049

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA50AJB-15R

AHA50AJB-15R

ნაწილი საფონდო: 17821

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-25R

AHA10AFB-25R

ნაწილი საფონდო: 27638

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-250R

AHA10AFB-250R

ნაწილი საფონდო: 27658

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-1R

AHA10AFB-1R

ნაწილი საფონდო: 27671

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA50AFB-10K

AHA50AFB-10K

ნაწილი საფონდო: 17201

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-10R

AHA10AFB-10R

ნაწილი საფონდო: 27691

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-75R

AHA10AFB-75R

ნაწილი საფონდო: 27646

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-100R

AHA10AFB-100R

ნაწილი საფონდო: 27731

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-15R

AHA10AFB-15R

ნაწილი საფონდო: 27647

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA10AFB-2R

AHA10AFB-2R

ნაწილი საფონდო: 27659

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA50AFB-2K5

AHA50AFB-2K5

ნაწილი საფონდო: 20676

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHA50AFB-50R

AHA50AFB-50R

ნაწილი საფონდო: 20717

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-0R15

AHP50AJB-0R15

ნაწილი საფონდო: 5908

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-3R3

AHP50AJB-3R3

ნაწილი საფონდო: 5910

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-4K7

AHP50AJB-4K7

ნაწილი საფონდო: 5895

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-100R

AHP50AJB-100R

ნაწილი საფონდო: 5822

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-330R

AHP50AJB-330R

ნაწილი საფონდო: 5849

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-4R3

AHP50AJB-4R3

ნაწილი საფონდო: 5855

წინააღმდეგობა: 4.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-3K9

AHP50AJB-3K9

ნაწილი საფონდო: 5830

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-620R

AHP50AJB-620R

ნაწილი საფონდო: 2368

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-1R1

AHP50AJB-1R1

ნაწილი საფონდო: 5821

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-0R22

AHP50AJB-0R22

ნაწილი საფონდო: 5904

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-0R51

AHP50AJB-0R51

ნაწილი საფონდო: 5818

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-2R2

AHP50AJB-2R2

ნაწილი საფონდო: 5902

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-0R13

AHP50AJB-0R13

ნაწილი საფონდო: 5816

წინააღმდეგობა: 130 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-0R24

AHP50AJB-0R24

ნაწილი საფონდო: 5881

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-120R

AHP50AJB-120R

ნაწილი საფონდო: 5861

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-27R

AHP50AJB-27R

ნაწილი საფონდო: 5889

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-2K4

AHP50AJB-2K4

ნაწილი საფონდო: 5833

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

AHP50AJB-4K3

AHP50AJB-4K3

ნაწილი საფონდო: 5817

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,