ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

4-1625868-3

4-1625868-3

ნაწილი საფონდო: 153518

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-3

4-2176073-3

ნაწილი საფონდო: 135059

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-9

4-2176073-9

ნაწილი საფონდო: 192040

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-6

4-2176073-6

ნაწილი საფონდო: 188871

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-7

4-2176073-7

ნაწილი საფონდო: 102627

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-2

4-2176073-2

ნაწილი საფონდო: 182792

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-5

4-2176073-5

ნაწილი საფონდო: 129646

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-8

4-2176073-8

ნაწილი საფონდო: 120874

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-1

4-2176073-1

ნაწილი საფონდო: 101601

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-0

4-2176073-0

ნაწილი საფონდო: 122804

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-2176073-4

4-2176073-4

ნაწილი საფონდო: 119586

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

4-1622824-3

4-1622824-3

ნაწილი საფონდო: 105228

წინააღმდეგობა: 620 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

4-2176074-9

4-2176074-9

ნაწილი საფონდო: 147137

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-6

4-2176074-6

ნაწილი საფონდო: 132722

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-4

4-2176074-4

ნაწილი საფონდო: 177054

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-5

4-2176074-5

ნაწილი საფონდო: 114207

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-7

4-2176074-7

ნაწილი საფონდო: 143481

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-1

4-2176074-1

ნაწილი საფონდო: 156159

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-0

4-2176074-0

ნაწილი საფონდო: 145425

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-8

4-2176074-8

ნაწილი საფონდო: 143731

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-3

4-2176074-3

ნაწილი საფონდო: 163569

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176074-2

4-2176074-2

ნაწილი საფონდო: 128092

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

4-2176055-2

4-2176055-2

ნაწილი საფონდო: 187663

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

4-2176069-3

4-2176069-3

ნაწილი საფონდო: 165536

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

5-1614971-0

5-1614971-0

ნაწილი საფონდო: 9573

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

5-1614972-0

5-1614972-0

ნაწილი საფონდო: 9633

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

5-1879360-6

5-1879360-6

ნაწილი საფონდო: 9474

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

5-1622821-0

5-1622821-0

ნაწილი საფონდო: 9472

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

5-1622821-1

5-1622821-1

ნაწილი საფონდო: 9452

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

5-1676274-5

5-1676274-5

ნაწილი საფონდო: 78848

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

5-1879361-3

5-1879361-3

ნაწილი საფონდო: 78891

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

5-1879357-9

5-1879357-9

ნაწილი საფონდო: 78924

წინააღმდეგობა: 301 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

504L2000FTNCFT

504L2000FTNCFT

ნაწილი საფონდო: 40434

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -50/ -150ppm/°C,

504L1000FTNCFT

504L1000FTNCFT

ნაწილი საფონდო: 40500

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -50/ -150ppm/°C,

504L25R0FTNCFT

504L25R0FTNCFT

ნაწილი საფონდო: 44940

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -50/ -150ppm/°C,

504L50R0FTNCFT

504L50R0FTNCFT

ნაწილი საფონდო: 55152

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -50/ -150ppm/°C,