ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

3-2176074-9

3-2176074-9

ნაწილი საფონდო: 190211

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

3-2176074-3

3-2176074-3

ნაწილი საფონდო: 191243

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

3-2176074-5

3-2176074-5

ნაწილი საფონდო: 169244

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

3-2176074-7

3-2176074-7

ნაწილი საფონდო: 139116

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

3-2176074-4

3-2176074-4

ნაწილი საფონდო: 145756

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

3-2176074-2

3-2176074-2

ნაწილი საფონდო: 151730

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

3-2176074-6

3-2176074-6

ნაწილი საფონდო: 148972

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

352016KJT

352016KJT

ნაწილი საფონდო: 141432

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

35201R2JT

35201R2JT

ნაწილი საფონდო: 115265

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

3520560RJT

3520560RJT

ნაწილი საფონდო: 136944

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3520150KJT

3520150KJT

ნაწილი საფონდო: 121889

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

35201R0JT

35201R0JT

ნაწილი საფონდო: 176928

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

3520150RJT

3520150RJT

ნაწილი საფონდო: 101973

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352033KJT

352033KJT

ნაწილი საფონდო: 128414

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352012KJT

352012KJT

ნაწილი საფონდო: 104284

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3520910KJT

3520910KJT

ნაწილი საფონდო: 131208

წინააღმდეგობა: 910 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3520510KJT

3520510KJT

ნაწილი საფონდო: 135142

წინააღმდეგობა: 510 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3520120RJT

3520120RJT

ნაწილი საფონდო: 167600

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

35208R2JT

35208R2JT

ნაწილი საფონდო: 156057

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

352015KJT

352015KJT

ნაწილი საფონდო: 144453

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

35201M0JT

35201M0JT

ნაწილი საფონდო: 146397

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352068KJT

352068KJT

ნაწილი საფონდო: 189309

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352015RJT

352015RJT

ნაწილი საფონდო: 183735

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3520100RJT

3520100RJT

ნაწილი საფონდო: 105943

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352091KJT

352091KJT

ნაწილი საფონდო: 103158

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

35203R9JT

35203R9JT

ნაწილი საფონდო: 171217

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

352043KJT

352043KJT

ნაწილი საფონდო: 178508

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3520220RJT

3520220RJT

ნაწილი საფონდო: 156097

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352051KJT

352051KJT

ნაწილი საფონდო: 175902

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352024RJT

352024RJT

ნაწილი საფონდო: 160946

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

35201R5JT

35201R5JT

ნაწილი საფონდო: 125342

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

35202R7JT

35202R7JT

ნაწილი საფონდო: 187094

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

352068RJT

352068RJT

ნაწილი საფონდო: 169337

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

352033RJT

352033RJT

ნაწილი საფონდო: 159520

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

35205R6JT

35205R6JT

ნაწილი საფონდო: 111459

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

3520680KJT

3520680KJT

ნაწილი საფონდო: 123397

წინააღმდეგობა: 680 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,