Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ფერიტის ბირთვები

B65701W0000R030
EPCOS (TDK)

B65701W0000R030

ნაწილი საფონდო: 26302

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 11.5µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N30, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 30.50mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 30 x 19,

სურვილისამებრ
B66461G0000X192
EPCOS (TDK)

B66461G0000X192

ნაწილი საფონდო: 20456

ბირთვის ტიპი: ELP, უფსკრული: N92, საწყისი გამტარიანობა (μi): ELP 43 x 10 x 28,

სურვილისამებრ
B66363G1000X187
EPCOS (TDK)

B66363G1000X187

ნაწილი საფონდო: 94665

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 39 x 20 x 13,

სურვილისამებრ
B65875A0000R087
EPCOS (TDK)

B65875A0000R087

ნაწილი საფონდო: 115201

ბირთვის ტიპი: PQ, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.65µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 20 x 20,

სურვილისამებრ
B66289K0000X149
EPCOS (TDK)

B66289K0000X149

ნაწილი საფონდო: 23399

ბირთვის ტიპი: I, უფსკრული: N49, საწყისი გამტარიანობა (μi): I 38 x 4 x 25,

სურვილისამებრ
B65651D0000R048
EPCOS (TDK)

B65651D0000R048

ნაწილი საფონდო: 32991

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.8µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N48, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 18.40mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 18 x 11,

სურვილისამებრ
B66484K0000X192
EPCOS (TDK)

B66484K0000X192

ნაწილი საფონდო: 50860

ბირთვის ტიპი: I, უფსკრული: N92, საწყისი გამტარიანობა (μi): I 25 x 3 x 15,

სურვილისამებრ
B66365G0500X187
EPCOS (TDK)

B66365G0500X187

ნაწილი საფონდო: 33660

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 44 x 22 x 15,

სურვილისამებრ
B65807J0000R041
EPCOS (TDK)

B65807J0000R041

ნაწილი საფონდო: 61051

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 3.1µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 6,

სურვილისამებრ
B66329G1500X187
EPCOS (TDK)

B66329G1500X187

ნაწილი საფონდო: 59667

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 42 x 21 x 20,

სურვილისამებრ
B65811F0630J048
EPCOS (TDK)

B65811F0630J048

ნაწილი საფონდო: 26020

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 630nH, ტოლერანტობა: ±5%, უფსკრული: N48, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სურვილისამებრ
B65877B0000R097
EPCOS (TDK)

B65877B0000R097

ნაწილი საფონდო: 28555

ბირთვის ტიპი: PQ, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5.15µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 26 x 20,

სურვილისამებრ
B65843A0160B087
EPCOS (TDK)

B65843A0160B087

ნაწილი საფონდო: 194242

ბირთვის ტიპი: EP, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 160nH, ტოლერანტობა: ±4%, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): EP 13,

სურვილისამებრ
B66229G0000X187
EPCOS (TDK)

B66229G0000X187

ნაწილი საფონდო: 84224

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 32 x 16 x 9,

სურვილისამებრ
B65513J0000R049
EPCOS (TDK)

B65513J0000R049

ნაწილი საფონდო: 62687

ბირთვის ტიპი: ER, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 1.1µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N49, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 14.5 x 6,

სურვილისამებრ
B64290L0651X038
EPCOS (TDK)

B64290L0651X038

ნაწილი საფონდო: 94235

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 12µH, ტოლერანტობა: ±30%, უფსკრული: T38, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 23.30mm,

სურვილისამებრ
B66361G1000X127
EPCOS (TDK)

B66361G1000X127

ნაწილი საფონდო: 73987

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 34 x 17 x 11,

სურვილისამებრ
B65651D0000R030
EPCOS (TDK)

B65651D0000R030

ნაწილი საფონდო: 43089

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), უფსკრული: N30, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 18.40mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 18 x 11,

სურვილისამებრ
B64290L0048X065
EPCOS (TDK)

B64290L0048X065

ნაწილი საფონდო: 45662

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 6.4µH, ტოლერანტობა: ±30%, უფსკრული: T65, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 35.50mm,

სურვილისამებრ
B65671W0000R030
EPCOS (TDK)

B65671W0000R030

ნაწილი საფონდო: 22830

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 9.7µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N30, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 26.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 26 x 16,

სურვილისამებრ
B66459G0000X197
EPCOS (TDK)

B66459G0000X197

ნაწილი საფონდო: 28425

ბირთვის ტიპი: ELP, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): ELP 38 x 8 x 25,

სურვილისამებრ
B66300G0000X138
EPCOS (TDK)

B66300G0000X138

ნაწილი საფონდო: 130832

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: T38, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 6 x 3,

სურვილისამებრ
B65805J0000R041
EPCOS (TDK)

B65805J0000R041

ნაწილი საფონდო: 56424

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.6µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 5,

სურვილისამებრ
B66329G1500X127
EPCOS (TDK)

B66329G1500X127

ნაწილი საფონდო: 35118

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: N27, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 42 x 21 x 20,

სურვილისამებრ
B65881A0000R097
EPCOS (TDK)

B65881A0000R097

ნაწილი საფონდო: 10573

ბირთვის ტიპი: PQ, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 4.7µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 35 x 35,

სურვილისამებრ
B65671W0000R087
EPCOS (TDK)

B65671W0000R087

ნაწილი საფონდო: 47055

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5.5µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N87, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 26.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 26 x 16,

სურვილისამებრ
B66347G0000X197
EPCOS (TDK)

B66347G0000X197

ნაწილი საფონდო: 25724

ბირთვის ტიპი: ER, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 42 x 22 x 15,

სურვილისამებრ
B64290L0040X037
EPCOS (TDK)

B64290L0040X037

ნაწილი საფონდო: 6035

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 7.16µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: T37, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 60.10mm,

სურვილისამებრ
B65877A0000R087
EPCOS (TDK)

B65877A0000R087

ნაწილი საფონდო: 73147

ბირთვის ტიპი: PQ, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 4.5µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 26 x 25,

სურვილისამებრ
B65517D0160A048
EPCOS (TDK)

B65517D0160A048

ნაწილი საფონდო: 100328

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 160nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: N48, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 9.30mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 9 x 5,

სურვილისამებრ
B65671T0630A048
EPCOS (TDK)

B65671T0630A048

ნაწილი საფონდო: 13539

ბირთვის ტიპი: P (Pot Core), ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 630nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: N48, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 26.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 26 x 16,

სურვილისამებრ
B65879B0000R097
EPCOS (TDK)

B65879B0000R097

ნაწილი საფონდო: 19003

ბირთვის ტიპი: PQ, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 32 x 30,

სურვილისამებრ
B66457G0000X187
EPCOS (TDK)

B66457G0000X187

ნაწილი საფონდო: 50917

ბირთვის ტიპი: ELP, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): ELP 32 x 6 x 20,

სურვილისამებრ
B65813J0000R041
EPCOS (TDK)

B65813J0000R041

ნაწილი საფონდო: 26555

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5.5µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 10,

სურვილისამებრ
B65811D0630J048
EPCOS (TDK)

B65811D0630J048

ნაწილი საფონდო: 73119

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 630nH, ტოლერანტობა: ±5%, უფსკრული: N48, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სურვილისამებრ
B65811J0160A041
EPCOS (TDK)

B65811J0160A041

ნაწილი საფონდო: 39428

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 160nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სურვილისამებრ