ფერიტის ბირთვები | მაგნიტიკა - ტრანსფორმატორი, ინდუქტორის კომპონენტებ | 100

EPCOS (TDK)

B66411G0000X197

ნაწილი საფონდო: 186

ბირთვის ტიპი: EFD, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 10/5/3,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B66411G0000X149

ნაწილი საფონდო: 195

ბირთვის ტიპი: EFD, უფსკრული: N49, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 10 x 5 x 3,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65819J0000R097

ნაწილი საფონდო: 77157

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.7µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N97, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B64290L0699X027

ნაწილი საფონდო: 7546

ბირთვის ტიპი: Toroid, უფსკრული: N27,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65819J0000Y038

ნაწილი საფონდო: 70144

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 10µH, ტოლერანტობა: -30%, +40%, უფსკრული: T38, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B64290P0751X830

ნაწილი საფონდო: 102317

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.4µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: N30, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 8.02mm,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B64290A0783X010

ნაწილი საფონდო: 130610

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 450nH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: K10, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 10.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): R 10 x 6 x 7,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65819J0160J041

ნაწილი საფონდო: 81004

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 160nH, ტოლერანტობა: ±5%, უფსკრული: N41, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65819P0315J087

ნაწილი საფონდო: 105535

ბირთვის ტიპი: RM, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7 LP,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65611W0000R087

ნაწილი საფონდო: 19462

ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 8µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N87, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 36.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 36 x 22,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65819P0275J087

ნაწილი საფონდო: 105465

ბირთვის ტიპი: RM, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7 LP,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B64290L0699X038

ნაწილი საფონდო: 5121

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 17.6µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: T38,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65819J0100J087

ნაწილი საფონდო: 98518

ბირთვის ტიპი: RM, უფსკრული: N87, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B64290A0751X065

ნაწილი საფონდო: 161159

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.55µH, ტოლერანტობა: ±30%, უფსკრული: T65, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 8.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): R 8 x 4 x 4,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B65819J0000R030

ნაწილი საფონდო: 95733

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5µH, ტოლერანტობა: -20%, +30%, უფსკრული: N30, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7,

სურვილისამებრ

EPCOS (TDK)

B64290A0699X087

ნაწილი საფონდო: 7530

ბირთვის ტიპი: Toroid, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 5µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: N87, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 63.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): R 63 x 38 x 25,