გამაძლიერებლის ტიპი: Isolation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, -3db გამტარობა: 100kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 25V/µs, -3db გამტარობა: 16MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.1V/µs, -3db გამტარობა: 500kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1V/µs, -3db გამტარობა: 1.6MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 23V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 8MHz, -3db გამტარობა: 15.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 23V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 8MHz, -3db გამტარობა: 15.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 61V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 16.3MHz, -3db გამტარობა: 9.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 943V/µs, -3db გამტარობა: 236MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 55V/µs, -3db გამტარობა: 65MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 120V/µs, -3db გამტარობა: 230MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 1200V/µs, -3db გამტარობა: 360MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2.5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.3V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 4V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 170V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 79.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 84V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 19MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 1.7V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2.7MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.46V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1.27MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2V/µs,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 5V/µs, -3db გამტარობა: 900kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 16V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 1.2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.6MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.4V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 1150V/µs, -3db გამტარობა: 325MHz,
